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programmable read only memory cells
Examples with "programmable read only memory cells" and their translation in Duits
Semiconductor device having programmable read only memory cells for specific mode.
Halbleitergerät mit programmierbaren Nur-Lesespeicherzellen für spezifischen Modus.
A device as claimed in claim 1 or 2, wherein parts (11b-19b) of the primary and redundancy memory blocks, other than the said ROM parts, comprise erasable and programmable read only memory cells.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der Teile (11b-19b) der Primär- und Redundanzspeicherblöcke andere als die genannten ROM-Teile, löschbare und programmierbare nur-Lese-Speicherzellen umfassen.
The method of any preceding Claim, wherein the non-volatile memory system in which the operating method is carried out includes an array of flash electrically erasable and programmable read only memory cells having storage elements in the form of at least one floating gate per cell.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das nicht-flüchtige Speichersystem, in dem das Verfahren durchgeführt wird, ein Array von Flash elektrisch löschbarer und programmierbarer Nur-Lese-Speicherzellen aufweist, die Speicherelemente in Form von zumindest einem Floating Gate pro Zelle aufweisen.
An asynchronous access type semiconductor memory device as set forth in claim 2, in which said memory cell array is implemented by electrically programmable read only memory cells.
Halbleiterspeicheranordnung vom asynchronen Zugriffstyp nach Anspruch 2, bei der das Speicherzellenarray durch elektrisch programmierbare Nur-Lesespeicherzellen ausgebildet ist.
Andere resultaten
Dense vertical programmable read only memory cell structures and processes for making them.
Dichte und vertikale programmierbare Nurlesespeicherzellenstruktur und Verfahren zur Herstellung.
Nand-cell type electrically erasable and programmable read- only memory with redundancy circuit.
Elektrisch löschbare und programmierbare Festwertspeicherschaltung vom Typ NAND-Zell mit Redundanz.
Method for forming thin oxide portions particularly in electrically erasable and programmable read-only memory cells.
Verfahren zur Herstellung dünner Oxidschichte, besonders für elektrisch löschbare und programmierbare Nurlesespeicherzelle.
Method for producing electrically erasable and programmable read-only memory cells with a single polysilicon level.
Verfahren zur Herstellung elektrisch-löschbarer und -programmierbarer Nurlesespeicherzellen mit einer einzigen Polysiliziumschicht.
Electrically erasable programmable read-only memory with NAND cell structure.
Elektrisch löschbarer und programmierbarer Festwertspeicher mit Und-Nicht-Zellenstruktur.
Electrically erasable, electrically programmable read-only memory cell with a self-aligned tunnel window.
Elektrisch löschbare und elektrisch programmierbare Nurlesespeicherzelle mit einem selbstjustierten Tunneleffekt-Fenster.
An electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use.
Elektrisch löschbare, elektrisch programmierbare Festwertspeicherzelle mit wählbarer Schwellspannung und Verfahren zu ihrer Verwendung.
A circuit as claimed in claim 8 wherein said programmable read-only memory cells are erasable.
Schaltung nach Anspruch 8, wobei die programmierbaren Nur-Lese-Speicherzellen löschbar sind.
The memory array as described in claim 1 wherein said non-volatile memory cells are erasable programmable read only memories.
Speicherfeld nach Anspruch 1, worin die nichtflüchtigen Speicherzellen löschbare Halbleiterfestwertspeicher sind.
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