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random access memory array
Vertaling van "random access memory array" in Duits
Schreiblesespeichern
Magnet-RAM-Array
wahlfreiem Zugriff
Direktzugriff-Speichermatrix
Magnetic random access memory array with thin conduction electrical read and write lines
Magetspeicherzellenfeld mit wahlfreiem Zugriff mit dünnen elektrisch leitfähigen Lese- und Schreibleitungen
Magnetic random access memory array with coupled soft magnetic adjacent layer
Magnetisches Speicherzellenfeld mit benachbarter gekoppelter weichmagnetischer Schicht
Apparatus and method for static random access memory array
Anordnung und Verfahren für statischen RAMspeicher
Magnetic random access memory array with global write lines
Magnetischer Random-Zugangsspeicher mit globalen Schreib-Leitungen
The magnetic random access memory of claim 1, wherein the data input means and the data output means are electrically connected to an input selection decoder and an output selection decoder, respectively, within the magnetic random access memory array to select a particular unit memory device.
Magnetischer Direktzugriffspeicher nach Anspruch 1, wobei das Dateneingabemittel und das Datenausgabemittel mit einem Eingangsauswahldekoder bzw. einem Ausgangsauswahldekoder in der magnetischen Direktzugriffspeicheranordnung verbunden sind, um eine bestimmte Speichervorrichtungseinheit auszuwählen.
A dynamic random access memory array according to claim 9 wherein said DRAM cells are field effect transistors.
Matrix aus dynamischen Speichern mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 9, wobei die DRAM-Zellen Feldeffekttransistoren sind.
A circuit as in claim 1, wherein the memory resistor array (122;322) is a 1R1T random access memory array.
Schaltung nach Anspruch 1, bei der das Speicherwiderstandsarray (122; 322) ein 1R1T-Speicherfeld mit wahlfreiem Zugriff ist.
Random access memory array, as recited in claims 1 or 4, wherein each memory cell is a complementary transistor switch (CTS) memory cell.
Direktzugriff-Speichermatrix nach den Ansprüchen 1 oder 4, worin jede Speicherzelle eine Komplementär-Tranistorschalter (CTS)-Speicherzelle ist.
Random access memory array, as recited in claim 1, characterized in that each of said unidirectionally conductive circuit means comprises first and second serially connected Schottky diodes (D1 and D2).
Direktzugriff-Speichermatrix nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet daß jedes der genannten unidirekionell leitenden Schaltungsmittel erste und zweite in Serie verbundene Schottky Dioden (D1 und D2) aufweist.
The magnetic random access memory array as claimed in claim 2 further including a second line controller (12) for activating one of the plurality of second lines.
Magnet-RAM-Array nach Anspruch 2, das weiterhin einen zweiten Leitungscontroller (12) zum Aktivieren einer der Mehrzahl von zweiten Leitungen aufweist.
Dynamic random access memory array as set forth in claims 1 or 2 wherein said conductive plate is made of doped polysilicon and said word lines are made of a silicide.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Ansprüchen 1 oder 2, bei der die leitende Platte aus dotiertem Polysilicium und die Wortleitungen aus einem Silicid bestehen.
Dynamic random access memory array as set forth in claim 1, characterized by an insulation layer disposed on said conductive plate between said word lines and said conductive plate.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolationsschicht auf der leitenden Platte zwischen den Wortleitungen und der leitenden Platte angebracht ist.
Dynamic random access memory array as set forth in claim 1, characterized by a thick layer of insulation disposed on said first sidewall between said first and second storage capacitors and between said first and second bit/sense diffusion regions.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine dicke Isolationsschicht auf der ersten Seitenwand zwischen den ersten und zweiten Speicherkondensatoren und zwischen den ersten und zweiten Bit/Lesediffusionsbereichen angebracht ist.
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