Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Registreer gratis: toegang tot meer resultaten en functies
reference memory cells
Vertaling van "reference memory cells" in Duits
Referenzspeicherzellen
The method according to claim 2, characterized in that said reference memory cells having gradually rising thresholds have currents whose value respectively decreases and increasing channel lengths.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzspeicherzellen mit schrittweise ansteigenden Schwellen Ströme, deren Wert jeweils abnimmt, und ansteigende Kanallängen aufweisen.
The ferroelectric memory according to claim 2 or 3, wherein the memory cells and the reference memory cells are formed in the same size and shape.
Ferroelektrischer Speicher nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die Speicherzellen und die Referenzspeicherzellen in derselben Größe und Form gebildet sind.
The memory device according to claim 9, wheiren the temporal relation is defined by the modification order of the current-conduction states of the array memory cell (3) and of the reference memory cells(7).
Speichervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die zeitliche Beziehung durch den Modifikationsablauf der Stromleitzustände der Speicherzellenanordnung (3) und der Referenzspeicherzellen (7) bestimmt ist.
Multilevel memory device according to claim 3, characterized in that the reference memory cells (M ref, i, M ref, h) are located at one end of the respective reference column (BL ref, i, BL ref, h).
Mehrfachpegelspeichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzspeicherzellen (M ref, i , M ref, h) an einem Ende der jeweiligen Referenzspalte (BL ref, i , BL ref, h) angeordnet sind.
The EEPROM according to claim 1, which additionally includes means for independently erasing and programming (411) said one or more reference memory cells to said one or more predetermined threshold levels from outside of said memory.
EEPROM nach Anspruch 1, das ferner Mittel (411) enthält zum unabhängigen Löschen und Programmieren der einen oder der mehreren Referenzspeicherzellen auf den einen oder die mehreren vorbestimmten Schwellenpegel von außerhalb des Speichers.
The EEPROM according to claim 1, wherein said comparing means includes means for comparing said addressed cell with the charge levels of said one or more reference memory cells one at a time in sequence.
EEPROM nach Anspruch 1, bei dem die Vergleichsmittel Mittel enthalten zum Vergleichen der adressierten Zelle mit den Ladungspegeln der einen oder der mehreren Referenzspeicherzellen einzeln nacheinander.
The device according to claim 8, characterized in that said reference memory cells having gradually higher thresholds comprise reference memory cells whose currents decrease and whose channel length increases.
Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzspeicherzellen mit schrittweise höheren Schwellen Referenzspeicherzellen umfassen, deren Ströme abnehmen und deren Kanallänge ansteigt.
The method according to claim 2, characterized in that the step of comparing said memory cells with said reference memory cells consists in comparing the currents of said memory cells.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Vergleichens der Speicherzellen mit den Referenzspeicherzellen in einem Vergleich der Ströme der Speicherzellen besteht.
The device according to claim 7, characterized in that it provides for column multiplexer means which are interposed between said sense amplifier means and said memory cells meant to be compared with said reference memory cells.
Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sie Spalten-Multiplexermittel vorsieht, welche zwischen den Leseverstärkermitteln und den Speicherzellen, die zum Vergleich mit den Referenzspeicherzellen vorgesehen sind, angeordnet sind.
A memory device according to claim 23, characterized in that said means is connected with one or more pairs of reference memory cells (420A, 420B) in the memory device.
Speichereinrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte Mittel mit einem oder mehreren Paaren von Vergleichsspeicherzellen (420A, 420B) in der Speichereinrichtung verbunden ist.
The method according to claim 5, characterized in that said reference memory cells are erased memory cells whose channel lengths increase starting from channel values which are close to the channel values of said memory cells meant to be compared with said reference memory cells.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzspeicherzellen gelöschte Speicherzellen sind, deren Kanallängen ausgehend von Kanalwerten ansteigen, welche nahe den Kanalwerten der Speicherzellen sind, die zum Vergleich mit den Referenzspeicherzellen vorgesehen sind.
The method according to claim 1, characterized in that it comprises the step of: reading and comparing the individual memory cells with a plurality of reference memory cells at a time, said plurality of reference memory cells having gradually higher thresholds.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es folgende Schritte umfasst: Lesen und Vergleichen der einzelnen Speicherzellen mit jeweils einer Mehrzahl von Referenzspeicherzellen, wobei die Mehrzahl der Referenzspeicherzellen schrittweise höhere Schwellen aufweist.
Synoniemen voor reference memory cells in het Engels
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 12. Exact: 12. Verstreken tijd: 41 ms.
