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second diffusion region
Vertaling van "second diffusion region" in Duits
zweite Diffusionsbereich
zweiten Diffusionsbereichs
zweiten Diffusionsbereich
The method according to any preceding claim, wherein said second diffusion region is substantially wider than said first diffusion region.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Diffusionsbereich im Wesentlichen breiter als die erste Diffusionsbereich ist.
Semiconductor device circuit according to claim 6, wherein the semiconductor controlled rectifier device comprises a resistor and a part of said second diffusion region is operable as the resistor.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, wobei die halbleitergesteuerte Gleichrichtervorrichtung einen Widerstand umfasst und ein Teil des zweiten Diffusionsbereichs als Widerstand einsetzbar ist.
A semiconductor memory, as recited in claim 12 wherein the second diffusion region is shared is connected to a common node with the amplifier transistors such that the second contact and the second global metal line are removed.
Halbleiterspeicher, wie in Anspruch 12 vorgetragen, wobei die zweite Diffusionsregion gemeinsam genutzt ist, mit einem gemeinsamen Knoten mit den Verstärkertransistoren derart verbunden ist, dass der zweite Kontakt und die zweite globale Metallleitung entfernt sind.
The semiconductor apparatus as claimed in any preceding claim, wherein said first diffusion region (17), said second diffusion region (15), and said third diffusion region (19) are single-layered diffusion regions having a second conductivity type.
Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Diffusionsbereich (17), der zweite Diffusionsbereich (15) und der dritte Diffusionsbereich (19) einlagige Diffusionsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps sind.
Semiconductor device circuit according to claim 1, wherein the first protection circuit (88.126) further comprises a control gate electrode formed on said first diffusion region (90,158) between said second diffusion region (92,160) and said third diffusion region (94,162).
Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschaltung (88.126) ferner eine Steuergateelektrode umfasst, die in dem ersten Diffusionsbereich (90,158) zwischen dem zweiten Diffusionsbereich (92,160) und dem dritten Diffusionsbereich (94,162) ausgebildet ist.
The arrangement according to claim 1 or 2, wherein said second diffusion region (45) is an anode of a protection diode (9) and said second buried layer (12) is a cathode of said protection diode (9).
Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das zweite Diffusionsgebiet (45) eine Anode einer Schutzdiode (9) und die zweite vergrabene Schicht (12) eine Kathode der Schutzdiode (9) ist.
A dynamic random access memory as claimed in any of claims 1 to 12, characterized in that said first diffusion region is a drain region (D) and said second diffusion region is a source region (S).
Ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte erste Diffusionszone eine Drainzone (D) ist und die genannte zweite Diffusionszone eine Sourcezone (S) ist.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the value of the impurity density of the second diffusion region of the first circuit falls within a range of 3 x 10 19 cm -3 to 3 x 10 20 cm -3.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Wert der Störstellendichte des zweiten Diffusionsbereichs der ersten Schaltung in einen Bereich von 3 x 10 19 cm -3 bis 3 x 10 20 cm -3 fällt.
The semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein said first high breakdown voltage insulated gate transistor (10B) further includes a second diffusion region (19a) of the first conductivity type formed in said main surface in said heavily doped region (13b).
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, bei der der erste Transistor (10B) hoher Durchbruchsspannung mit isoliertem Gate weiter einen zweiten Diffusionsbereich (19a) des ersten Leitungstypes aufweist, der in der Hauptoberfläche in dem hoch dotierten Bereich (13b) gebildet ist.
A gate array LSI according to either one of claims 1 or 2 wherein the first diffusion region (1) is of a first conduction type and the second diffusion region (2) is of a second diffusion type.
Gate-Array-LSI nach Anspruch 1, bei der der erste Diffusionsbereich (1) von einem ersten Leitungstyp und der zweite Diffusionsbereich (2) von einem zweiten Diffusionstyp ist.
Synoniemen voor second diffusion region in het Engels
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