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zweiten Diffusion
zweiten Diffusionsbereiche
zweite Diffusionszone
zweite Diffusionssperrschicht
zweite Diffusionsregulierungsmittel
zweiten Diffusionssperrschicht
The method of claim 18, wherein biasing said second diffusion provides a charge on a bit line coupled to said second diffusion that produces said flow of electrons between said first and second diffusions when said word gate voltage is increased.
Verfahren nach Anspruch 18, bei dem das Vorspannen der zweiten Diffusion eine Ladung auf einer Bit-Leitung bereitstellt, die mit der zweiten Diffusion verbunden ist, die den Elektronenfluss zwischen der ersten und der zweiten Diffusion erzeugt, wenn die Spannung auf dem Wort-Gate erhöht wird.
The method according to any preceding claim, wherein said second diffusion region is substantially wider than said first diffusion region.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Diffusionsbereich im Wesentlichen breiter als die erste Diffusionsbereich ist.
The inventive method utilizes a sensor with a first chamber that communicates with the external volume via a first diffusion barrier, and with a second chamber that communicates with the first chamber via a second diffusion barrier.
Das Verfahren nutzt einen Sensor mit einer ersten Kammer, die mit dem externen Volumen über eine erste Diffusionsbarriere verbunden ist, und mit einer zweiten Kammer, die mit der ersten Kammer über eine weitere Diffusionsbarriere verbunden ist.
The sensor of claim 1 wherein said first diffusion resistor and said second diffusion resistor have a substantially identical layout shape.
Sensor nach Anspruch 1, wobei der erste Diffusionswiderstand und der zweite Diffusionswiderstand eine im wesentlichen identische Layoutform aufweisen.
The method of claim 23, wherein said first diffusion is a source and said second diffusion is a drain of said memory cell.
Verfahren nach Anspruch 23, bei dem die erste Diffusion eine Source und die zweite Diffusion ein Drain der Speicherzelle ist.
Apparatus as claimed in claim 13 or 14, characterized in that the first and second diffusion channels (230,232) provide for fluid flow into and out of the cavity.
Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Diffusionskanäle (230,232) für eine Fluidströmung in den Hohlraum und aus diesem heraus sorgen.
Semiconductor device circuit according to claim 6, wherein the semiconductor controlled rectifier device comprises a resistor and a part of said second diffusion region is operable as the resistor.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, wobei die halbleitergesteuerte Gleichrichtervorrichtung einen Widerstand umfasst und ein Teil des zweiten Diffusionsbereichs als Widerstand einsetzbar ist.
The illuminated sign plate of claim 1 wherein there exists a second diffusion layer located between said first diffusion layer and the light translucent layer.
Illuminierte Sichtzeichenplatte nach Anspruch 1, wobei eine zweite Diffusionsschicht vorhanden ist, die zwischen der ersten Diffusionsschicht und der lichtdurchlässigen Schicht angeordnet ist.
A spray device according to claim 12, characterised in that the surface finish of the second diffusion surface (166,242) is adapted to limit phenomena of capillarity.
Sprühvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenbeschaffenheit der zweiten Verteilungsfläche (166,242) die Kapillarwirkung zu begrenzen vermag.
A semiconductor memory, as recited in claim 12 wherein the second diffusion region is shared is connected to a common node with the amplifier transistors such that the second contact and the second global metal line are removed.
Halbleiterspeicher, wie in Anspruch 12 vorgetragen, wobei die zweite Diffusionsregion gemeinsam genutzt ist, mit einem gemeinsamen Knoten mit den Verstärkertransistoren derart verbunden ist, dass der zweite Kontakt und die zweite globale Metallleitung entfernt sind.
The memory on a semiconductor substrate of claim 1, wherein the first and second diffusion regions are aligned with respect to said first and second sides, respectively, of said floating gate, and extend vertically into the semiconductor substrate.
Speicher auf einem Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Diffusionsbereiche bezüglich der ersten bzw. zweiten Seiten des Floating Gate ausgerichtet sind und sich vertikal in das Halbleitersubstrat hinein erstrecken.
A semiconductor device according to claim 1, wherein said third diffusion layer is formed on a line nearly orthogonal to the line linking said first and second diffusion layers (27a,27b).
Eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die dritte Diffusionsschicht auf einer Linie ausgebildet ist, die nahezu senkrecht ist zu der die erste und zweite Diffusionsschicht (27a, 27b) verbindenden Linie ist.
A method according to claim 1 or 2, wherein the second diffusion is formed in two separate steps, including introducing the second dopant to the substrate prior to trenching and diffusing the second dopant after trenching.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite Diffusion in zwei getrennten Schritten erfolgt, umfassend das Einbringen des zweiten Dots in das Substrat vor der Grabenbildung und die Diffusion des zweiten Dots nach der Grabenbildung.
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