Vertaling van "semiconductor component comprising" in Duits
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A light-emitting semiconductor component comprising the wavelength conversion element is furthermore specified.
Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit dem Wellenlängenkonversionselement angegeben.
The invention also relates to a semiconductor component comprising at least one trench capacitor on the front side of a semiconductor substrate, which can be produced using the inventive method.
Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement mit mindestens einem Grabenkondensator auf der Vorderseite eines Halbleitersubstrats beschrieben, das mit dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellt werden kann.
The invention relates to an electronic semiconductor component comprising a semiconductor chip (4) having an active chip surface (47) which is bordered by a raised metal frame (45).
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip (4), der eine aktive Chipfläche (47) aufweist, die von einem erhabenen Metallrahmen (45) eingefasst ist.
The invention relates to a semiconductor component comprising a plastic housing (41), at least one semiconductor chip (1), and a rewiring layer (8).
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Kunst-stoffgehäuse (41), mindestens einem Halbleiterchip (1) und einer Umverdrahtungslage (8).
The production method can be used in particular to implement a unipolar semiconductor component comprising a drift layer (16), which component has an advantageous ratio of a comparatively high reverse bias voltage with relatively low forward losses, in a simple and/or cost-effective manner.
Insbesondere ist mittels des Herstellungsverfahrens ein unipolares Halbleiter-Bauelement mit einer Driftschicht (16), welche ein vorteilhaftes Verhältnis aus einer vergleichsweise großen Sperrspannung bei relativ niedrigen Durchlassverlusten aufweist, auf einfache Weise und/oder kostengünstig realisierbar.
The invention relates to a method for producing a gate head which can be precisely scaled and for reducing parasitic capacities, for a semiconductor component comprising an at least approximately T-shaped electrode.
Für ein Halbleiter-Bauelement mit einer zumindest annähernd T-förmigen Elektrode wird ein Verfahren zur Erzeugung eines präzise skalierbaren Gatekopfes und zur Verringerung parasitärer Kapazitäten angegeben.
Said aim is achieved by a semiconductor component comprising a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact points, and a vertically or horizontally structured carrier substrate, and a method for producing a semiconductor component.
Kompensation der thermischen Spannungen im Bauelement wird ein Halbleiterbauelement mit einer lichtemittierenden Halbleiterschicht oder einem lichtemittierenden Halbleiterelement, zwei Kontaktstellen und einem vertikal oder horizontal strukturierten Trägersubstrat, und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements entwickelt.
The invention relates to an optoelectronic semiconductor component comprising a radiation-emitting active series of layers to which at least one poorly dopable semiconductor layer of a first conductivity type is assigned.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer strahlungsemittierenden aktiven Schichtenfolge, der mindestens eine schlecht dotierbare Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps zugeordnet ist.
The invention relates to a semiconductor component comprising at least one unit that has a plurality of similar sub-units that are respectively connected to at least two contacts that have different functions and which are alternately arranged next to each other.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit zumindest einer Baueinheit, welche eine Vielzahl von gleichartigen Untereinheiten mit jeweils zumindest zwei Kontakten verschiedener Funktionen aufweist, die abwechselnd nebeneinander angeordnet sind.
The invention relates to an electric semiconductor component comprising electrodes which form the source (210,310) and drain (220,320) and at least one gate electrode (230,240, 330,340) with a specific gate width.
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Halbleiterbauelement mit Elektroden, die Source (210,310) und Drain (220,320) bilden, und wenigstens einer Gate-Elektrode (230,240, 330,340) mit einer Gateweite.
The invention relates to a semiconductor component comprising a drift section (2) that is configured in a semiconductor member (1) and is made of a semiconductor material having a certain type of conductivity.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer in einem Halbleiterkörper (1) ausgebildeten Driftstrecke (2) aus einem Halbleitermaterial eines Leitungstyps.
The invention relates to a semiconductor component comprising a substrate (1) and an insulation trench (10) which is provided in the substrate (1) and which is partially filled with an insulating material (5).
Die vorliegende Erfindung schafft ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat (1) und einem in dem Substrat (1) vorgesehenen Isolationsgraben (10), welcher teilweise mit einem Isolationsmaterial (5) aufgefüllt ist.
Advantageously, a semiconductor component comprising photodiodes or light-emitting diodes can be composed of nanopoints which are provided with different spectral band gaps and are deposited in a nanostructured manner.
Vorteilhaft kann ein Halbleiterbauelement mit Photodioden oder Leuchtdioden aus nanostrukturiert abgeschiedenen Nanopunkten mit unterschiedlichen spektralen Bandlücken aufgebaut sein.
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