A semiconductor memory according to any one of the preceding claims, wherein means for generating a reference voltage is provided for each of said data lines.
Halbleiterspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen zur Erzeugung einer Bezugsspannung für jede Datenleitung vorgesehen sind.
A nonvolatile semiconductor memory according to claim 2, wherein two adjoining source lines are united together.
Integrated circuit device package containing a semiconductor memory according to one of the preceding claims.
Verpackung für eine integrierte Schaltungseinrichtung, enthaltend einen Halbleiterspeicher gemäß einem der vorangehenden Ansprüche.
A programmable semiconductor memory according to any preceding claim, further characterised in that said high melting point silicide comprises titanium silicide.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß das Silizid mit hohem Schmelzpunkt Titansilizid aufweist.
A method of conducting a screening test on a semiconductor memory according to any of the preceding claims, characterized by applying a control signal to said controlling means (43) at the time of reading data out of the memory cells.
Verfahren zum Durchführen eines Sortiertests an einem Halbleiterspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Anlegen eines Steuersignals an die Steuereinrichtung (43) zur Zeit eines Lesens von Daten aus den Speicherzellen.
A dynamic semiconductor memory according to claim 4, wherein said external signal comprises at least one of an external write enable signal and an external output enable signal provided to said memory.
Dynamischer Halbleiterspeicher nach Anspruch 4, bei dem das externe Signal mindestens eines aus einem externen Schreibfreigabesignal und einem externen Ausgabefreigabesignal, wie an den Speicher geliefert, umfasst.
A test method for a nonvolatile semiconductor memory according to claim 1, 2, or 3, wherein said nonvolatile semiconductor memory is assembled in a plastic package.
Testverfahren für einen nichtflüchtigen Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem der nichtflüchtige Halbleiterspeicher in einer Plastikpackung installiert ist.
A semiconductor memory according to any one of the preceding claims wherein two of said data lines together constitute a pair of folded bit structure and said common signal lines are also arranged in pairs.
Halbleiterspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei der Datenleitungen ein Paar mit gefalteter Bitstruktur bilden und die gemeinsamen Signalleitungen ebenfalls paarweise angeordnet sind.
A semiconductor memory according to any of the preceding claims wherein the first read means comprises sense amplifiers, or sense amplifiers and latch circuits.
Halbleiterspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin das erste Lesemittel Leseverstärker oder Leseverstärker und Latch-Schaltungen umfasst.
A semiconductor memory according to claim 6, wherein the gate insulating film are a continuous insulating film.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 6, wobei der Gateisolierfilm ein durchgehender Isolierfilm ist.
A semiconductor memory according to any one of the preceding claims wherein said pair of said data lines are arranged in such a manner as to be substantially parallel and to cross one another in at least one portion.
Halbleiterspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Paar Datenleitungen so angeordnet ist, daß es im wesentlichen parallel verläuft und sich mindestens mit einem Abschnitt überschneidet.
A semiconductor memory according to any one of the preceding claims wherein said plurality of data lines and plurality of common lines are arranged parallel to each other.
Halbleiterspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrzahl der Datenleitungen und die Mehrzahl der gemeinsamen Leitungen parallel zueinander angeordnet sind.
The semiconductor memory according to claim 9, wherein said control means is part of said at least one processor element.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 9, wobei die Steuereinrichtung Teil des wenigstens einen Prozessorelementes ist.