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semiconductor memory device according
Vertaling van "semiconductor memory device according" in Duits
Halbleiterspeichervorrichtung nach
Halbleiterspeichereinrichtung nach
Halbleiterspeicheranordnung nach
Halbleiter-Speichervorrichtung nach
Halbleiterspeicherbauelement nach
Halbleiterspeicher nach
Halbleiter-Speichereinrichtung nach
Halbleiterspeichervorrichtung gemäß
Halbleiterspeicherbauteil nach
Halbleiter-Speicheranordnung nach
Halbleiterspeicher-Bauelement gemäß
Halbleiter-Speicherbauteil nach
Halbleiterspeichergerät nach
Halbleiterspeicher-Vorrichtung nach
The semiconductor memory device according to claim 10, wherein the external signal includes a program mode signal.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 10, bei der das externe Signal ein Programmodussignal enthält.
A nonvolatile semiconductor memory device according to any preceding claim, wherein the said predetermined portion of the circuitry includes circuit elements of a row decoder of the device.
Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der vorbestimmte Abschnitt der Schaltungsanordnung Schaltungselemente eines Reihendekodierers der Vorrichtung enthält.
A semiconductor memory device according to claim 2, characterised in that said power-supply lines are connected to one another above the peripheral circuit region.
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Energieversorgungsleitungen über dem Peripherieschaltungsbereich untereinander verbunden sind.
A semiconductor memory device according to claim 1 or 2, characterised in that said plurality of power-supply lines or grounding lines are regularly arranged between the signal lines.
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Energieversorgungsleitungen oder Masseverbindungsleitungen regelmäßig zwischen den Signalleitungen angeordnet sind.
An information apparatus using the non-volatile semiconductor memory device according to claim 1 for detecting a data storage defect of a memory cell.
Informationsvorrichtung, verwendend die nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 1 zum Erfassen eines Datenspeicherfehlers einer Speicherzelle.
A dynamic semiconductor memory device according to claim 1 or 2 in which the level detection circuit comprises an inverter.
Dynamische Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Höhennachweisschaltung einen Inverter enthält.
A method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, wherein the masking material consists of a photoresist film.
Verfahren zur Herstellung einer nicht-flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher das Maskierungsmaterial aus einem Photolackfilm besteht.
The nonvolatile semiconductor memory device according to claim 20, characterized in that said injection means operates after said discharge means has completed its operation.
Nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektionseinrichtung arbeitet, nachdem die Entladungseinrichtung ihren Betrieb abgeschlossen hat.
A method for manufacturing a semiconductor memory device according to claims 6, further comprising the step of removing the resist layer by ashing using an oxygen plasma.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, das ferner den Schritt des Entfernens der Resistlage durch Veraschung unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas umfasst.
The method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that an inorganic coating film is used for forming the fifth insulation film.
Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein anorganischer Beschichtungsfilm zum Bilden des fünften Isolationsfilms benutzt wird.
A semiconductor memory device according to any one of the preceding claims, wherein the first storage voltage is a supply voltage and the second storage voltage is ground voltage.
Halbleiterspeichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die erste Speicherspannung eine Versorgungsspannung und die zweite Speicherspannung Erdspannung ist.
A semiconductor memory device according to claim 8, wherein the first and second conductive portions are fuse elements.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 8, wobei der erste und der zweite leitende Teil Sicherungselemente sind.
The semiconductor memory device according to claim 4. wherein all of said blocks are arranged in the row direction.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 4, bei welcher sämtliche Blöcke in der Zeilenrichtung angeordnet sind.
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