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source diffusion
Vertaling van "source diffusion" in Duits
Source-Diffusion
Sourcediffusion
Source-Diffusionsschicht
The method of claim 1. wherein comparing said source diffusion voltage to said reference voltage is a reverse read operation using a sense amplifier.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Vergleichen der Spannung auf der Source-Diffusion mit der Referenzspannung ein Rückwärts-Lesevorgang mit einem Abfrageverstärker ist.
The method of claim 10, wherein equalizing said drain and source diffusion voltages results in an equalized voltage that is approximately half of said drain diffusion voltage during said program operation.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das Bewirken eines Ausgleichs zwischen der Spannung auf der Drain- und der Source-Diffusion zu einer Gleichgewichtsspannung führt, die ungefähr die Hälfte der Spannung der Drain-Diffusion während des Programmiervorgangs ist.
The method of claim 1, wherein lowering said drain diffusion voltage is done to a first predetermined value that allows said source diffusion voltage to remain unchanged when a threshold voltage of said selected storage site is above a second predetermined value.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Verringern der Spannung auf der Drain-Diffusion bis zu einem ersten zuvor festgelegten Wert durchgeführt wird, der ermöglicht, dass die Spannung auf der Source-Diffusion unverändert bleibt, wenn eine Schwellenspannung der ausgewählten Speicherstelle oberhalb eines zweiten zuvor festgelegten Wertes liegt.
An EEPROM block as defined in claim 4, wherein each of said byte select transistors is formed mid way along the length of a common source diffusion of the memory cells that compose the respective byte.
EEPROM-Block nach Anspruch 4, wobei jeder der bytewählbaren Transistoren auf der Länge einer gemeinsamen Source-Diffusion der Speicherzellen, die das jeweilige Byte aufbauen, gebildet ist.
The charge detector according to claim 1, wherein said pair of channel stoppers are connected to said source diffusion region.
Ladungsdetektor nach Anspruch 1, bei welchem das Paar von Kanalstoppem mit der Source-Diffusionsregion verbunden ist.
A method for fabricating a nonvolatile semiconductor memory according to claim 9, comprising a step of forming said drain and source diffusion layers (5) by implanting impurities in the semiconductor substrate using the pattern of the first polysilicon films as a mask.
Verfahren zum Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers nach Anspruch 9, mit dem Schritt des Herstellens der Drain- und Sourcediffusionsschichten (5) durch Implantieren von Fremdstoffen in das Halbleitersubstrat unter Verwendung des Musters der ersten Polysiliciumfilme als Maske.
The non-volatile memory of claim i, wherein the first dielectric film adjacent to the drain diffusion layer (13) has a smaller thickness than the first dielectric film adjacent to the source diffusion layer (7).
Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1, bei dem der an die Drain-Diffusionsschicht (13) angrenzende erste dielektrische Film eine geringere Dicke als der an die Source-Diffusionsschicht (7) angrenzende erste dielektrische Film aufweist.
Subsequently, a sidewall spacer is formed on the lateral edges of the DMOS gate electrodes, which is used to control the lateral extent of the DMOS source diffusion under the DMOS gate electrode, thereby defining the channel length of the device.
Die schräge Implantationsrichtung macht es möglich, die Borionen unter der Gateelektrode zu implantieren, sodass bei einer gegebenen Dauer des Diffusionsschritts in dem DMOS-Transistor eine größere Kanallänge erreicht werden kann, oder bei einer gegebenen Kanallänge ein kürzerer Diffusionsschritt genügen kann.
Process according to claim 1, wherein each cell comprises a capacitor implant region and a source diffusion, characterised in that said mask covers the memory cell between the capacitor implant region and the source diffusion.
Verfahren entsprechend Anspruch 1, wobei jede Zelle einen Kondensator-Implantationsbereich und eine Sourcediffusion aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske die Speicherzelle zwischen dem Kondensator-Implantationsbereich und der Sourcediffusion abdeckt.
The nonvolatile semiconductor device according to claim 1, characterized in that said source diffusion layer (2) is shared by memory cells having said control gate electrode in common.
Nichtflüchtige Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Diffusionsschicht (2) Speicherzellen zugeordnet ist, die die Steuergate-Elektrode gemeinsam haben.
Synoniemen voor source diffusion in het Engels
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