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Diffusionsquelle
Diffusionsquellmaterial
p-Fremdatom-Diffusionsquelle
Deposition and diffusion source control means and method.
Mittel und Verfahren zur Regelung einer Ablagerungs- und Diffusionsquelle.
The use of polycide or silicide as diffusion source and as terminal for the emitter makes smaller emitter widths possible.
Durch die Verwendung des Polyzids oder Silizids als Diffusionsquelle und als Anschluß für den Emitter sind kleinere Emitterweiten möglich.
A method according to claim 1, wherein said doped polysilicon layer is used as a diffusion source for forming said diffused region.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dotierte polykristallien Siliziumschicht als eine Diffusionsquelle für die Bildung der erwähnten diffundierten Zone verwendet wird.
A fabricating method according to claim 9, wherein the transparent conductive film is heat treated for diffusing the phosphorus thereinto from a diffusion source containing phosphorus.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente, leitende Film wärmebehandelt wird, um den Phosphor in diesen von einer phosphorhaltigen Diffusionsquelle einzudiffundieren.
Impurity doping method with adsorbed diffusion source.
Dotierungsverfahren mittels einer adsorbierten Diffusionsquelle.
Method according to Claim 6, in which the diffusion source (12) is formed by applying, causing to flow and etching back a doped silicate glass layer.
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Diffusionsquelle (12) durch Aufbringen, Verfließen und Rückätzen einer dotierten Silikatglasschicht gebildet wird.
In the HAL process, neodymium magnets are heat-treated at relatively low temperatures after the dysprosium diffusion source is applied to the surfaces of the sintered neodymium magnet substrates.
Im HAL-Verfahren wird eine Dy-Diffusionsquelle auf die Oberfläche des gesinterten Neodym-Magnetsubstrats aufgebracht und der Magnet anschließend bei relativ niedrigen Temperaturen wärmebehandelt.
A superconducting device claimed in Claim 4 wherein the diffusion source layer (17, 24) is formed of a material selected from the group consisting of silicon and silicide, and the isolation region is diffused with at least silicon.
Supraleitende Einrichtung nach Anspruch 4, bei der die eindiffundierte Source-Schicht (17, 24) aus einem aus der aus Silizium und Silizid bestehenden Gruppe ausgewählten Material besteht, und bei der der Isolationsbereich mit zumindest Silizium dotiert ist.
A method claimed in Claim 18 wherein the the second oxide superconductor thin film is etched back until the diffusion source layer is exposed.
Verfahren nach Anspruch 18, bei dem der zweite Oxid-Supraleiter-Dünnfilm zurückgeätzt wird, bis die eindiffundierte Source-Schicht offenliegt.
A method as claimed in claim 12, wherein the InGaAs undercoats and the p-impurity diffusion source are grown by a chloride vapor phase method.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei die InGaAs-Unterschichten und die p-Fremdatom-Diffusionsquelle mit Hilfe eines Chloriddampfphasenverfahrens wachsen.
A method as claimed in claim 11, wherein the p-impurity is Zn and the p-impurity diffusion source is InP(Zn), InAsP(Zn) or InGaAsP(Zn).
Verfahren nach Anspruch 11, wobei die p-Fremdatome Zn sind und die p-Fremdatom-Diffusionsquelle InP(Zn), InAsP(Zn) oder InGaAsP(Zn) ist.
The apparatus according to any previous claim, wherein said semiconductor substrate comprises a liquid or solid based diffusion source material, said diffusion source material including said organic components.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, in der das Halbleitersubstrat ein auf einer Flüssigkeit oder einem Festkörper basierendes Diffusionsquellmaterial aufweist, wobei das Diffusionsquellmaterial die organischen Komponenten beinhaltet.
Cerium pentaphosphate planar diffusion source for doping at low temperatures.
Plattenförmige Diffusionsquelle aus Cerium-Pentaphosphat für niedrige Temperaturdotierung.
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