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source-drain
Vertaling van "source-drain" in Duits
Source-Drain
Source-Drain-Strecke
Source-Drain-Pfad
Source-Drain-Metallschicht
Source-Drain-Gebiet
Source-Drain-Leitung
The change in the source-drain voltage is a measure of the expansion.
Die Änderung der Source-Drain-Spannung ist Maß für die Dehnung.
High source-drain breakdown voltages and low-resistance supply leads to the source and drain areas can be manufactured by structuring the contacts in this way.
Durch eine derartige Strukturierung der Kontakte sind hohe Source-Drain Durchbruchspannungen und niederohmige Zuleitungen zu den Source und Drain Bereichen herstellbar.
The present invention relates to a device for detecting millimeter waves, having at least one field effect transistor with a source, a drain, a gate, a gate-source contact, a source-drain channel, and a gate-drain contact.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erfassung von Millimeterwellen mit mindestens einem Feldeffekttransistor, der eine Source, einen Drain, ein Gate, einen Gate-Source-Kontakt, einen Source-Drain-Kanal und einen Gate-Drain-Kontakt aufweist.
A device according to claim 8 including a source-drain path having a conductivity dependent on the level of electrical charge stored in the node.
Vorrichtung nach Anspruch 8, die einen Source-Drain-Weg mit einer Leitfähigkeit enthält, die von dem Pegel der im Knoten gespeicherten elektrischen Ladung abhängt.
The method of claim 17 wherein the photosensor material etchant selective to said source-drain material comprises fluorine or chlorine.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Ätzmittel des Fotosensormaterials, das für das Source-Drain-Material selektiv ist, Fluor oder Chlor aufweist.
The non-volatile memory circuit according to claim 1, wherein said plurality of page buffers shift, in a predetermined sequential order, said group of adjacent source-drain lines to which said combination of states is supplied.
Nichtflüchtige Speicherschaltung nach Anspruch 1, bei der die Vielzahl von Seitenpuffern die Gruppe von benachbarten Source-Drain-Leitungen, denen die Kombination von Zuständen zugeführt wird, in einer vorbestimmten sequentiellen Reihenfolge verschiebt.
A non-volatile memory as in claim 5, wherein said reference current source is provided by the source-drain current of the reference memory cell whose floating gate is stored with a predetermined charge.
Nicht-flüchtiger Speicher nach Anspruch 5, bei dem die Referenzstromquelle von dem Source-Drain-Strom der Referenzspeicherzelle bereitgestellt wird, auf deren schwimmendem Gate eine vorbestimmte Ladung gespeichert ist.
A method of sensing one of said plurality of memory states of a memory cell as in claim 18, wherein said measuring includes comparing said source-drain current with a reference current over said predetermined period of sensing time.
Verfahren zum Lesen eines der Mehrzahl von Speicherzuständen einer Speicherzelle nach Anspruch 18, bei dem das Messen das Vergleichen des Source-Drain-Stroms mit einem Referenzstrom über die vorbestimmte Lesezeitspanne einschließt.
An organic thin film transistor comprising a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, an organic active layer and source-drain electrodes wherein the gate insulating film is composed of the organic insulating film according to claim 7.
Organischer Dünnfilmtransistor umfassend ein Substrat, eine Gateelektrode, einen Gateisolierfilm, eine aktive organische Schicht und Source-Drainelektroden, worin der Gateisolierfilm aus dem organischen Isolierfilm nach Anspruch 7 gebildet ist.
A method according to any of claims 24 to 26, wherein said one or more opaque elements form the source-drain electrodes of an electronic switching device, and the deposited material forms a gate electrode of the electronic switching device.
Verfahren nach jedem der Ansprüche 24 bis 26, wobei die ein oder mehreren lzchturzdurchlässigen Elemente die Source-Drain-Elektroden einer elektronischen Schaltvorrichtung ausformen, und das abgeschiedene Material eine Gateelektrode der elektronischen Schaltvorrichtung ausformt.
The gate electrodes (4, 4a, 4b) are dimensioned with respect to their thickness (L), their spacing (d) and the source-drain distance (D) so that a limitation is activated at a predetermined intensity of current.
Die Gate-Elektroden (4, 4a, 4b) sind hinsichtlich ihrer Dicke (L), ihres Abstandes (d) voneinander und der Source-Drain-Strecke (D) so dimensioniert, daß sich bei einer vorgegebenen Stromstärke eine Begrenzung einstellt.
A circuit as claimed in any preceding claim, wherein said second n-channel transistor (48) has a source-drain path which connects ground to the source of said source follower transistor (42).
Schaltung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der zweite n-Kanal-Transistor (48) einen Source-Drain-Pfad aufweist, der Masse mit dem Source-Kontakt des Source-Folger-Transistors (42) verbindet.
A method as claimed in claim 9, wherein the desired source-drain current is driven through the second transistor (22) by applying a first power supply voltage (26) to the second transistor (22).
Verfahren nach Anspruch 9, wobei der gewünschte Source-Drain-Strom durch den zweiten Transistor (30) durch Anlegen einer ersten Versorgungsspannung (26) an den zweiten Transistor (30) gesteuert wird.
Synoniemen voor source-drain in het Engels
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