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Increased pixel density and increased printing speed in a xerographic line printer with multiple linear arrays of surface emitting lasers
Erhöhte Pixeldichte und Druckgeschwindigkeit in einen xerographischen Zeilendrucker mit vielfachen linearen Reihen von oberflächenemittierenden Lasern
An apparatus according to claim 17, characterized in that the light aggregate comprises a number of surface emitting light diodes each emitting infrared light of a chosen wavelength.
Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Lichtaggregat eine Anzahl von oberflächenemittierenden Leuchtdioden, wobei jede infrarotes Licht einer gewählten Wellenlänge emittiert, umfaßt.
Vertical cavity surface emitting lasers with transparent electrodes.
Oberflächenemittierende Laser mit vertikalem Resonator und transparenter Elektrode.
Color xerographic printer with multiple linear arrays of surface emitting lasers with dissimilar polarization states and dissimilar wavelengths
Farbxirographische Drucker mit vielfachen linearen Reihen von Oberflächenemittierenden Lasern mit verschiedenen Polarisationszuständen und Wellenlängen
A surface emitting semiconductor laser according to any one of claims 1 to 15, wherein said total internal reflection face is covered with a burying material.
Oberflächenemittierender Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 15, bei dem die Gesamt-Innenreflexionsoberfläche mit einem vergrabenden Material bedeckt ist.
The surface emitting semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 3, wherein said transparent layer is comprised of at least one layer of a dielectric film.
Die oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, worin die durchlässige Schicht aus wenigstens einer Schicht eines dielektrischen Films besteht.
A light module comprising an optical wave-guide (1130, 1302) and the surface emitting semiconductor laser claimed in any one of claims 1 to 14.
Lichtmodul, das einen optischen Wellenleiter (1130, 1302) und den oberflächenemittierenden Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 14 aufweist.
Vertical cavity surface emitting semiconductor lasers and their method of fabrication
Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit vertikalem Resonator und Herstellungsverfahren
The surface emitting semiconductor laser device according to claim 4, wherein said dielectric film is formed of any one of silicon nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, magnesium oxide and magnesium fluoride.
Die oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung gemäß Anspruch 4, worin der dielektrische Film aus irgendeinem aus Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Titanoxid, Magnesiumoxid und Magnesiumfluorid gebildet wird.
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