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Field modulated vertical cavity surface-emitting laser with internal optical pumping
Intern optisch gepumpter, feldmodulierter, oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator
The invention relates to a surface-emitting semiconductor laser with lateral heat dissipation and a vertical resonator.
Die Erfindung betrifft einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit vertikalem Resonator und mit seitlicher Wärmeabfuhr.
An optical module according to claim 3 or 9, wherein a distance between the first substrate and the upper surface of the first supporting structure is longer than a distance between the first substrate and the upper surface of the vertical-cavity surface-emitting laser.
Optisches Modul nach Anspruch 3 oder 9, wobei ein Abstand zwischen dem ersten Substrat und der oberen Oberfläche der ersten Trägerstruktur länger bzw. größer ist als ein Abstand zwischen dem ersten Substrat und der oberen Oberfläche des oberflächenemittierenden Lasers mit vertikalem Resonator.
Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser and method for producing the same
Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
A device according to one of claim 1, wherein each surface-emitting semiconductor laser is designed to be suitable for emission of visible light for use in fluorescence spectroscopy.
Vorrichtung nach einem der Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder oberflächenemittierende Halbleiterlaser zur Emission von sichtbarem Licht geeignet ausgelegt ist zur Verwendung bei der Fluoreszenzspektroskopie.
Vertical cavity surface-emitting laser with separate optical and current guides
Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator und getrennten optischen Leitern und Stromleitern
A polarization controlled vertical-cavity surface-emitting laser
Polarisationsgesteuerter oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator
The process for fabricating a vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser as claimed in claim 11 or 12, wherein said semiconductor buried structure portion (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10) consists of a semi-insulator layer.
Verfahren zur Herstellung eines oberflächenemittierenden Halbleiterlasers mit vertikalem Resonator nach Anspruch 11 oder 12, wobei der vergrabene Halbleiterstrukturabschnitt (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10) aus einer Semiisolatorschicht besteht.
In at least one embodiment of the surface-emitting semiconducting laser chip (1), this embodiment comprises a first layer sequence (2) which has a reflective effect for primary radiation (P) at a primary wavelength.
In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge reflektierend wirkt.
Only slight optical losses occur within the semiconductor laser chip (1) within a surface-emitting semiconductor laser chip (1) such as this.
In einem solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (1) treten nur geringe optische Verluste innerhalb des Halbleiterlaserchips (1) auf.
A device according to claim 5, wherein the metal layer covering the mesa structure of the surface-emitting semiconductor laser is identical with an electrical contacting layer.
Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die die Mesastruktur des oberflächenemittierenden Halbleiterlaser bedeckende Metallschicht mit einer elektrischen Kontaktierungsschicht identisch ist.
A device according to any one of the preceding claims, wherein an array of semiconductor lasers and an array of photoelectric detection units is present, the density of the arrangement of the surface-emitting semiconductor lasers being greater than the density of the relevant interaction regions.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Feld von Halbleiterlasern und ein Feld von fotoelektrischen Nachweiseinheiten vorhanden ist, wobei die Dichte der Anordnung der oberflächenemittierenden Halbleiterlaser größer ist als die Dichte der jeweiligen Wechselwirkungsbereiche.
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