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DMOS transistor
Vertaling van "DMOS transistor" in Frans
transistor DMOS
transistor MOS à double diffusion
A trenched DMOS transistor has significantly reduced on-resistance.
Le transistor DMOS à tranchée de l'invention a une résistance de fonctionnement nettement diminuée.
The cell density of a trenched DMOS transistor is increased by overcoming the problem of lateral diffusion of deep P+ body regions.
On augmente la densité en cellules d'un transistor DMOS en tranchées en résolvant le problème de la diffusion latérale des zones P+ profondes.
a deep diffusion of the back-gate region provided in a self-aligned manner with respect to the gate electrode is necessary in a DMOS transistor for obtaining a sufficiently high punch-through voltage between source and drain
une diffusion profonde de la région de grille arrière élaborée selon un procédé à grille auto-alignée par rapport à l'électrode de commande est nécessaire dans un transistor MOS à double diffusion pour obtenir une tension de pénétration suffisamment élevée entre la source et le drain
A low voltage trench DMOS transistor has simplified punch-through elimination, improved safe operating area and threshold control.
Transistor MOS à double diffusion en tranchées à canal court basse tension présentant une élimination de claquage simplifiée, une plage de fonctionnement sûr améliorée et une commande de seuil améliorée.
a method for forming a trenched DMOS transistor with deep-body regions that occupy minimal area on an epitaxial layer formed on a semiconductor substrate
procédé de réalisation d'un transistor DMOS à tranchée pourvu de zones profondes occupant une zone minimale sur une couche épitaxiale formée sur un substrat semi-conducteur
a trenched DMOS transistor has significantly reduced on-resistance. a lightly doped p tub is formed surrounding the p + body region in order to enhance avalanche breakdown
le transistor DMOS à tranchée de l'invention a une résistance de fonctionnement nettement diminuée. une cuvette légèrement dopée p entoure la région du corps p + pour réduire les risques d'un claquage par avalanche
When a body layer is formed by oblique ion implantation in a DMOS transistor, leak current is reduced and the source-drain breakdown voltage is enhanced when the transistor is turned off.
Lorsqu'une couche de corps est formée par implantation ionique oblique dans un transistor DMOS, le courant de fuite est réduit et la tension de claquage source-drain est améliorée lorsque le transistor est mis à l'état bloqué.
the invention is advantageous in that a protective layer is used to protect the already essentially completed DMOS transistor structure from the negative effects of additional process steps
de manière avantageuse, l'utilisation d'une couche de protection permet de protéger la structure de transistor DMOS quasiment finie contre les effets d'étapes de procédé ultérieures
it can be formed by masked alignment in the same step as an n type layer used as the body for a p-type DMOS transistor.
elle peut être formée par un alignement masqué à la même étape que la couche de type n utilisée en tant que corps pour le transistor DMOS de type p.
a lateral DMOS transistor structure formed in n-type silicon is disclosed which incorporates a special n-type enhanced drift region
cette invention se rapporte à une structure de transistor DMOS latérale, qui est formée dans du silicium du type n et dans laquelle est incorporée une région de migration accrue du type n spéciale
advantageously according to the invention, the power actuator further comprises at least a zener diode, inserted between the source terminal of the DMOS transistor and the control terminal of the bipolar transistor.
avantageusement, conformément à l'invention, l'actionneur comprend également au moins une diode zener, introduite entre la borne de source du transistor DMOS et la borne de commande du transistor bipolaire.
a DMOS transistor is fabricated with its source/body/deep body regions formed on the walls of a first set of trenches, and its drain regions formed on the walls of a different set of trenches
un transistor DMOS fabriqué dont les régions de source/corps/corps profond sont formées sur les parois d'un premier jeu de tranchées et les régions de drain sont formées sur les parois d'un différent jeu de tranchées
in a first lithography step, essentially only the source region of the DMOS transistor structure is opened, whereby the electrode layer still present can be used as a mask for the subsequent production of the body region.
au cours d'une première étape lithographique, on n'ouvre quasiment que la zone source de la structure de transistor DMOS. ainsi, la couche d'électrode encore présente peut servir de masque pour la fabrication consécutive de la zone corps.
Synoniemen voor DMOS transistor in het Engels
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