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Le transistor DMOS à tranchée de l'invention a une résistance de fonctionnement nettement diminuée.
A trenched DMOS transistor has significantly reduced on-resistance.
l'invention concerne un procédé de formation d'un transistor DMOS à tranchée à perçage réduit
a method of forming a trench DMOS transistor is provided which reduces punch-through
La diode de Schottky peut être à barrière de jonction et elle peut avoir une tension de démarrage inférieure à celle d'une diode incorporée au transistor DMOS.
The Schottky diode may be a junction barrier Schottky diode and may have a turn-on voltage lower than a turn-on voltage of a built-in body diode of the DMOSFET.
La diode de Schottky peut avoir une zone active inférieure à celle du transistor DMOS.
The Schottky diode may have an active area less than an active area of the DMOSFET.
un transistor DMOS à tranchées donne des résultats améliorés et un meilleur rendement en matière de production
a trenched DMOS transistor has improved device performance and production yield
On augmente la densité en cellules d'un transistor DMOS en tranchées en résolvant le problème de la diffusion latérale des zones P+ profondes.
The cell density of a trenched DMOS transistor is increased by overcoming the problem of lateral diffusion of deep P+ body regions.
un dispositif transistor DMOS à tranchée comprenant
a trench DMOS transistor device that comprises
Un troisième aspect de l'invention concerne une structure de transistor DMOS à tranchées comprenant au moins une tranchée périphérique et une pluralité de tranchées internes.
According to a further aspect of the invention, a trench DMOS transistor structure that includes at least one peripheral trench and a plurality of internal trenches is provided.
une structure de transistor DMOS à tranchée présentant un trajet de faible résistance vers un contact de drain situé sur une surface supérieure, et des procédés d'élaboration correspondants
a trench DMOS transistor structure having a low resistance path to a drain contact located on an upper surface and methods of making the same
procédé de réalisation d'un transistor DMOS à tranchée pourvu de zones profondes occupant une zone minimale sur une couche épitaxiale formée sur un substrat semi-conducteur
a method for forming a trenched DMOS transistor with deep-body regions that occupy minimal area on an epitaxial layer formed on a semiconductor substrate
le transistor DMOS à tranchée de l'invention a une résistance de fonctionnement nettement diminuée. une cuvette légèrement dopée p entoure la région du corps p + pour réduire les risques d'un claquage par avalanche
a trenched DMOS transistor has significantly reduced on-resistance. a lightly doped p tub is formed surrounding the p + body region in order to enhance avalanche breakdown
Lorsqu'une couche de corps est formée par implantation ionique oblique dans un transistor DMOS, le courant de fuite est réduit et la tension de claquage source-drain est améliorée lorsque le transistor est mis à l'état bloqué.
When a body layer is formed by oblique ion implantation in a DMOS transistor, leak current is reduced and the source-drain breakdown voltage is enhanced when the transistor is turned off.
ces cellules individuelles de transistor DMOS à tranchées peuvent être divisées en cellules de transistor périphériques et en cellules de transistor intérieures
the plurality of individual DMOS transistor cells is dividable into peripheral transistor cells and interior transistor cells
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