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PCRAM
Vertaling van "PCRAM" in Frans
PCRAM
a sense circuit for reading a resistance level of a programmable conductor random access memory (PCRAM) cell is provided
l'invention concerne un circuit de détection de lecture d'un niveau de résistance d'une mémoire à accès aléatoire à conducteurs programmable (PCRAM)
the cell being sensed has the precharged voltage discharged through the resistance of the programmable conductor memory element of the PCRAM cell
la cellule détectée présente la tension préchargée déchargée par la résistance de l'élément de mémoire conducteur programmable de la cellule PCRAM
The present invention provides an improved write circuit and method for writing a programmable conductor random access memory (PCRAM) cell.
La présente invention concerne un circuit d'écriture amélioré et un procédé d'écriture dans une cellule de mémoire conductrice et programmable, à accès aléatoire (PCRAM).
a voltage potential difference is introduced across a PCRAM cell by activating an access transistor from a raised row line voltage
une différence de potentiel de tension est introduite dans une cellule PCRAM par activation d'un transistor d'accès à l'aide d'une tension de ligne de rangées plus élevée
Another example is the phase change random-access memory (PCRAM), in which a chalcogenide material with the ability to change its phase between a high resistive amorphous and a low resistive crystalline state is used.
Un autre exemple est la mémoire à changement de phase (PCRAM), dans laquelle un matériau à base de chalcogénure capable de changer de phase entre un état amorphe à haute résistance et un état cristallin à faible résistance est utilisé.
Also, many studies have been done to evaluate the scaling capability of OxRAM and PCRAM.
De plus, de nombreuses études ont été réalisées pour évaluer le potentiel de réduction des dimensions des mémoires OxRAM et PCRAM.
However, high power consumption during the RESET operation (IRESET) is the main challenge that PCRAM has to face in order to explode the non volatile memory market.
Cependant, la nécessité d'utiliser des courants d'effacement (IRESET) importants pour l'étape d'amorphisation du PCM représente l'un des principaux freins à l'explosion de la technologie PCRAM sur le marché des mémoires non volatiles.
This memory architecture can be applied for various memories such as MRAM, PCRAM, FERAM, polymer memory and chalcogenide memory.
Cette architecture de mémoire peut être mise en oeuvre pour diverses mémoires, telles que MRAM, PCRAM, FERAM, une mémoire à base de polymères et une mémoire à base de chalcogénure.
Abstract: Oxyde-based resistive memories OxRAM are a technology of emergent non-volatile memory, as phase-change memories (PCRAM) or magnetoresistive memories (MRAM).
Résumé : Les mémoires résistives à base d'oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM).
Phase Change Random Access Memories (PCRAM), which are based on the reversible amorphous-crystalline transition in phase change materials (PCMs), constitute a very promising alternative to Flash technology, which is reaching fundamental limits.
Les mémoires vives à changement de phase (PCRAM), basées sur la transition réversible amorphe-cristal dans les matériaux à changement de phase (PCM), constituent une alternative très prometteuse à la technologie Flash, qui atteint des limites fondamentales.
In 2011, IBM demonstrated a breakthrough in Phase Change RAM (PCRAM), which has been in development as a potential universal memory technology for some time.
En 2011, IBM a expliqué une découverte dans la RAM de Modification de Phase (PCRAM), qui a été à l'étude comme technologie de stockage universelle potentielle pendant quelque temps.
Abstract: Phase-Change Random Access Memories (PCRAM) are one of the most promising candidates for next generation of nonvolatile memories.
Résumé : Les mémoires à changement de phase électroniques (PCRAM) sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine génération de mémoires non-volatiles.
Also, phase transition in phase change materials for PCRAM is investigated for Ge2Sb2Te5 (GST-225) and Ge rich GST.
En outre, la transition de phase dans les matériaux pour PCRAM est étudiée pour le GST riche en Ge et le GST-225.
Synoniemen voor PCRAM in het Engels
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