Vertaling van "PCRAM" in Engels
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la cellule détectée présente la tension préchargée déchargée par la résistance de l'élément de mémoire conducteur programmable de la cellule PCRAM
the cell being sensed has the precharged voltage discharged through the resistance of the programmable conductor memory element of the PCRAM cell
La présente invention concerne un circuit d'écriture amélioré et un procédé d'écriture dans une cellule de mémoire conductrice et programmable, à accès aléatoire (PCRAM).
The present invention provides an improved write circuit and method for writing a programmable conductor random access memory (PCRAM) cell.
une différence de potentiel de tension est introduite dans une cellule PCRAM par activation d'un transistor d'accès à l'aide d'une tension de ligne de rangées plus élevée
a voltage potential difference is introduced across a PCRAM cell by activating an access transistor from a raised row line voltage
un dispositif de mémoire tel qu'une mémoire PCRAM, qui comprend une matière squelette en verre de chalcogénure comportant du verre de tellurure de germanium, et des procédés de formation d'un tel dispositif de mémoire.
a memory device, such as a PCRAM, including a chalcogenide glass backbone material with germanium telluride glass in contact with a metal-chalcogenide such as tin selenide and methods of forming such a memory device are disclosed.
Un autre exemple est la mémoire à changement de phase (PCRAM), dans laquelle un matériau à base de chalcogénure capable de changer de phase entre un état amorphe à haute résistance et un état cristallin à faible résistance est utilisé.
Another example is the phase change random-access memory (PCRAM), in which a chalcogenide material with the ability to change its phase between a high resistive amorphous and a low resistive crystalline state is used.
De plus, de nombreuses études ont été réalisées pour évaluer le potentiel de réduction des dimensions des mémoires OxRAM et PCRAM.
Also, many studies have been done to evaluate the scaling capability of OxRAM and PCRAM.
Enfin, l'intégration dans des dispositifs mémoires PCRAM tests de matériaux PCM obtenus par ce procédé PE-MOCVD a mis en évidence des propriétés électriques proches de celles obtenues avec des matériaux déposés par les procédés de dépôt conventionnels de type PVD.
Finally, electrical characterization of PCRAM test devices integrating phase change materials deposited by PE-MOCVD as active material have presented electrical properties similar to the ones obtained for materials deposited by conventional physical vapor deposition (PVD) process.
Cependant, la nécessité d'utiliser des courants d'effacement (IRESET) importants pour l'étape d'amorphisation du PCM représente l'un des principaux freins à l'explosion de la technologie PCRAM sur le marché des mémoires non volatiles.
However, high power consumption during the RESET operation (IRESET) is the main challenge that PCRAM has to face in order to explode the non volatile memory market.
Cette architecture de mémoire peut être mise en oeuvre pour diverses mémoires, telles que MRAM, PCRAM, FERAM, une mémoire à base de polymères et une mémoire à base de chalcogénure.
This memory architecture can be applied for various memories such as MRAM, PCRAM, FERAM, polymer memory and chalcogenide memory.
Résumé : Les mémoires résistives à base d'oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM).
Abstract: Oxyde-based resistive memories OxRAM are a technology of emergent non-volatile memory, as phase-change memories (PCRAM) or magnetoresistive memories (MRAM).
Les mémoires vives à changement de phase (PCRAM), basées sur la transition réversible amorphe-cristal dans les matériaux à changement de phase (PCM), constituent une alternative très prometteuse à la technologie Flash, qui atteint des limites fondamentales.
Phase Change Random Access Memories (PCRAM), which are based on the reversible amorphous-crystalline transition in phase change materials (PCMs), constitute a very promising alternative to Flash technology, which is reaching fundamental limits.
En 2011, IBM a expliqué une découverte dans la RAM de Modification de Phase (PCRAM), qui a été à l'étude comme technologie de stockage universelle potentielle pendant quelque temps.
In 2011, IBM demonstrated a breakthrough in Phase Change RAM (PCRAM), which has been in development as a potential universal memory technology for some time.
Résumé : Les mémoires à changement de phase électroniques (PCRAM) sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine génération de mémoires non-volatiles.
Abstract: Phase-Change Random Access Memories (PCRAM) are one of the most promising candidates for next generation of nonvolatile memories.
