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diffusion de bore
method for preventing diffusion of boron in silicon by ion implantation of carbon
procede pour empêcher la diffusion de bore dans le silicium par implantation ionique de carbone
the invention concerns a method for preventing the diffusion of boron present as a dopant in a predetermined region of a semiconductor component into at least an region adjacent to the predetermined region while making the component
l'invention concerne un procédé pour empêcher la diffusion de bore présent comme dopant dans une région prédéterminée d'un composant semi-conducteur dans au moins une région adjacente à la région prédéterminée au cours de la fabrication du composant
Furthermore, in addition to the advantage of stress, the embedded stress layer (160) in the channel can reduce the diffusion of boron from the heavily doped source/drain (120) region.
D'autre part, en plus de l'avantage de contrainte qu'elle présente, la couche de contrainte intégrée (160) dans le canal permet de réduire la diffusion de bore à partir des régions de source/de drain fortement dopées (120).
Methods of depositing boron-containing liner layers on substrates involve the formation of a bilayer including an initiation layer which includes barrier material to inhibit the diffusion of boron from the bilayer into the underlying substrate.
L'invention porte sur des procédés de dépôt de couches de revêtement contenant du bore sur des substrats comprenant la formation d'une bicouche comprenant une couche de début qui comprend une matière barrière pour empêcher la diffusion de bore de la bicouche vers le substrat sous-jacent.
Thus, the diffusion of boron from the base layer to the emitter layer is suppressed, and the base-emitter junction capacitance (CBE) is reduced.
Ainsi, la diffusion de bore de la couche de base vers la couche émetteur est éliminée, et la capacité (CBE) de la jonction base-émetteur est réduite.
The process entails diffusion of boron atoms into the lattice of the parent metal and a hard interstitial boron compound is formed at the surface.
Le processus implique la diffusion d'atomes de bore dans le réseau du métal de base et la formation d'un composé de bore interstitiel dur en surface.
The diffusion harrier layer selectively prevents or reduces the diffusion of boron and impurities from the substrate to the bond coat of the environmental barrier coating system.
La couche formant barrière de diffusion empêche ou réduit sélectivement la diffusion du bore et des impuretés du substrat vers la couche de liaison du système de revêtement formant barrière environnementale.
this invention provides an effective means and apparatus for allowing higher operational frequencies in heterojunction bipolar transistors by trapping silicon interstitial atoms and thereby preventing transient enhanced diffusion of boron in the transistor
cette invention porte sur un dispositif et un appareil efficace assurant des fréquences opérationnelles supérieures dans des transistors bipolaires à hétérojonction en piégeant des atomes interstitiels de silicium et en empêchant une diffusion accrue transiente du bore dans le transistor
a method for slowing the diffusion of boron ions in a CMOS structure includes a preanneal step which can be incorporated as part of a step in which silane is deposited across the surface of the wafer
un procédé permettant de ralentir la diffusion d'ions bore dans une structure CMOS, qui comporte une étape de prérecuit qui peut être insérée à une étape dans laquelle du silane est déposé sur la surface de la plaquette
Subsequent high temperature annealing step without capping in order to trigger diffusion of boron was then validated on silicon wafers using ICPMS in HF-dipped oxide and in silicon by TofSIMS profile measurements.
Le recuit à haute température permettant la redistribution du bore dans le silicium a été ensuite validée par l'analyse VPD-ICPMS de l'oxyde greffé couplées aux mesures de profil de dopant dans le silicium obtenues par TofSIMS.
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