Wet etch rate is an indication of film density.
method for optimising the etch rate of a polycrystalline layer
Partially or completely avoiding the accumulation of solid residue increases the etch rate.
En évitant partiellement ou totalement l'accumulation de résidu solide, on augmente le taux de gravure.
it can resolve etch rate variations across a wafer or within a die
cette méthode permet également de calculer les variations du taux de gravure sur la totalité d'une tranche ou à l'intérieur d'un dé
Typically, the etch rate is selected to be different in furtherance of facilitating control of the dimensions of features formed during the etching process.
De manière classique, la vitesse d'attaque chimique est sélectionnée pour faciliter différemment le contrôle des dimensions des caractéristiques formées lors du procédé d'attaque chimique.
The method of the invention provides an acceptable etch rate and good etch profile, while prolonging the lifetime of the masking layer.
Le procédé de l'invention permet d'obtenir une vitesse d'attaque chimique acceptable et un bon profil d'attaque chimique, tout en prolongeant la durée de vie de la couche de masquage.
apparatus and method for improving etch rate uniformity
appareil et méthode pour améliorer l'uniformité d'une vitesse de gravure
The inventive compositions can be used to form anti-reflective coatings having high etch rate and optical densities.
Ces compositions peuvent être utilisées en vue de former des revêtements antireflets possédant une vitesse de gravure et des densités optiques élevées.
Typically, the lower the wet etch rate, the denser the film.
Habituellement, moins la vitesse de gravure est élevée, plus le film est dense.
method and apparatus for etch rate stabilization
procédé et appareil de stabilisation de vitesse de gravure
plasma density and etch rate enhancing semiconductor processing chamber
chambre de traitement de semi-conducteur améliorant la densité du plasma et la vitesse de gravure
The inorganic anti-reflective coating material layer has an associated first etch rate when exposed to an etchant.
La couche de matière de revêtement inorganique présente une première vitesse de gravure correspondante lorsqu'elle est exposée à un agent de gravure.
A plasma treatment may follow formation of sub-layers to further improve conformality and to decrease the wet etch rate of the conformal silicon oxide multi-layer film.
Un traitement au plasma peut suivre la formation de sous-couches pour améliorer davantage l'aspect conforme et diminuer la vitesse de gravure humide du film à couches multiples d'oxyde de silicium conformes.