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rugosité de largeur de ligne
improvement of organic line width roughness with h2 plasma treatment
Provided are a radiation-sensitive resin composition, from which a chemically amplified resist showing reduced line width roughness and ensuring the formation of a desired pattern shape at a high accuracy can be obtained, and a method for forming a resist pattern using the same.
Selon l'invention, à partir de cette composition de résine sensible au rayonnement, une réserve chimiquement amplifiée présentant une rugosité de largeur de ligne réduite et garantissant la formation d'une forme de motif souhaité avec une grande précision peut être obtenue.
Provided are: an active light-sensitive, or radiation-sensitive resin composition which has excellent exposure latitude, and pattern roughness such as line width roughness; and a pattern-forming method using the same.
L'invention porte sur : une composition de résine photosensible à la lumière active ou radiosensible qui présente d'excellentes latitude d'exposition et rugosité de motif, telle qu'une rugosité de largeur de ligne; et sur un procédé de formation de motifs utilisant cette dernière.
the patterned organic mask is treated to reduce very low frequency line width roughness of the patterned organic mask
le masque organique à motif est traité pour réduire la rugosité de largeur de ligne (LWR) très basse fréquence du masque organique à motif
a method for reducing very low frequency line width roughness (LWR) in forming etched features in an etch layer disposed below a patterned organic mask is provided
la présente invention concerne un procédé permettant de réduire la rugosité de largeur de ligne (LWR) très basse fréquence par la formation de caractéristiques gravées dans une couche de gravure disposée sous un masque organique à motif
line width roughness improvement with noble gas plasma
In the third and last part we studied the issues associated with the line width roughness of a 193nm photoresist/amorphous carbone/polysilicon gate stack.
Enfin, dans une troisième partie, nous avons étudié les problèmes liés à la rugosité de bord de ligne dans un empilement résine 193nm/carbone amorphe/polysilicium.
Each patterned resist feature includes a first sidewall and a second sidewall opposite the first sidewall, wherein each patterned resist feature comprises a mid frequency line width roughness and a low frequency linewidth roughness.
Chaque caractéristique de la résine photosensible à motifs comporte une première paroi latérale et une seconde paroi latérale située à l'opposé l'une de l'autre, chacune de ces caractéristiques comprenant une rugosité de trait de fréquence intermédiaire et une rugosité de trait de fréquence faible.
The present invention provides methods and an apparatus for controlling and modifying line width roughness (LWR) of a photoresist layer with enhanced electron spinning control.
La présente invention concerne des procédés et un dispositif pour régler et modifier la rugosité de la largeur de ligne (LWR:line width roughness) d'une couche de résine photosensible avec une commande améliorée du spin des électrons.
The present invention provides methods and an apparatus for controlling and modifying line width roughness (LWR) of a photoresist layer.
La présente invention concerne des procédés et un appareil de contrôle et de modification de la rugosité de largeur de trait (LWR) d'une couche de résine photosensible.
A preliminary study of line width roughness transfer during etching, with CD-AFM measurements, is presented.
Une étude préliminaire, sur le transfert de la rugosité de bord de ligne (LWR) pendant l'étape de gravure, menée à l'aide d'un CD-AFM, est présentée.
This contamination layer can lead to the transmission loss of the optics and, consequently, degrade the tool lithographic performances (throughput, CD uniformity, Line Width Roughness, etc.).
Cette couche de contamination a tendance à diminuer la transmission des optiques et, par conséquent, diminuer les performances lithographiques de l'outil (débit, uniformité des CD, rugosité, etc.).
One of them is the variation of the transistor gate length, also called "Line Width Roughness" (LWR), which constitutes one of the most important sources of device variability.
Parmi elles, la fluctuation de la longueur de la grille des transistors, aussi appelée rugosité de bord de ligne (LWR, pour "Line Width Roughness"), constitue l'une des principales sources de variabilité.
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Synoniemen voor line width roughness in het Engels