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cellule binaire de mémoire
cellule de bits de mémoire
cellule de bit de mémoire
cellule de bit mémoire
The non- volatile memory bit cell may be a four terminal bit cell.
Each memory bit cell has a storage mechanism, a controlled current source, and a read switch.
Chaque cellule de bits de mémoire comprend un mécanisme de stockage, une source de courant régulée, et un commutateur de lecture.
The controlled current source in each memory bit cell is electrically connected to the read bit line through the read switch.
La source de courant régulée dans chaque cellule de bits de mémoire est électriquement connectée à la ligne de bits de lecture par le commutateur de lecture.
a non-volatile memory bit cell structure is disclosed that includes a dual capacitor structure
l'invention concerne une structure de cellule binaire de mémoire non volatile qui comprend une structure à double condensateur
a non-volatile memory bit cell which comprises a first bistable cantilever module and a second bistable cantilever modules
une cellule binaire de mémoire non volatile qui comprend deux modules bistables en porte-à-faux
a memory bit cell comprises first and second transistors and a cantilever module having two states
une cellule binaire de mémoire qui comprend un premier et un second transistor ainsi qu'un module de cantilever présentant deux états
The current from the current controller that controls and changes the read bit line voltage flows through the controlled current source in the memory bit cell.
Le courant provenant du régulateur de courant qui commande et change la tension de ligne de bits de lecture circule à travers la source de courant régulée dans la cellule de bits de mémoire.
The value of this current is determined by a function of a difference between the voltage on the storage mechanism in the memory bit cell and a reference voltage from a reference voltage input to the current controller.
La valeur de ce courant est déterminée par une fonction d'une différence entre la tension sur le mécanisme de stockage dans la cellule de bits de mémoire et une tension de référence provenant d'une entrée de tension de référence appliquée au régulateur de courant.
The memory bit cell further includes buffering means arranged to prevent the flow of current from the shared output terminal and further arranged to indicate the states of the first and second cantilever modules.
La cellule binaire de mémoire comporte en outre des organes tampons disposés de façon, d'une part à empêcher un écoulement de courant depuis la borne commune de sortie, et d'autre part à indiquer l'état du premier et du second des modules en porte-à-faux.
Disclosed is a memory architecture comprising at least one memory bit cell and at least one read bit line whose voltage is controlled and changed by a current from a current controller.
L'invention porte sur une architecture de mémoire comprenant au moins une cellule de bits de mémoire et au moins une ligne de bits de lecture dont la tension est commandée et changée par un courant provenant d'un régulateur de courant.
The memory bit cell is operable such that the state of the cantilever (104) can be changed in order to represent one bit of binary information and can be detected by monitoring the first signal.
La cellule binaire de mémoire peut être actionnée de sorte que l'état du cantilever (104) puisse être modifié pour représenter un bit d'informations binaire et puisse être détecté en surveillant le premier signal.
a one time-programmable memory bit cell comprises a transistor and a fuse
une cellule binaire de mémoire programmable une seule fois qui comprend un transistor et un fusible
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