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memory cell is programmed
Vertaling van "memory cell is programmed" in Frans
cellule de mémoire est programmée
cellule mémoire est programmée
the memory cell is programmed and then verified with a ramped read voltage
la cellule mémoire est programmée puis vérifiée avec une tension de lecture inclinée
Programming may include applying a series of increasing voltages to selected bit lines until the selected memory cell is programmed.
La programmation peut consister à appliquer une série de tensions croissantes à des lignes de bit sélectionnées jusqu'à ce que la cellule de mémoire sélectionnée soit programmée.
further, the memory cell is programmed utilizing a programming pulse that reverse biases the diode thereof.
de plus, cette cellule de mémoire est programmée à l'aide d'une impulsion de programmation qui inverse les polarisations de la diode.
A memory array including such memory cells applies a predetermined voltage to unselected word lines and bit lines in addition to a corresponding memory cell while each memory cell is programmed, erased, and read.
Une matrice mémoire comprenant de telles cellules de mémoire applique une tension prédéterminée à des canaux mot et à des canaux bit non sélectionnés en plus d'une cellule de mémoire correspondante pendant que chaque cellule de mémoire est programmée, effacée et lue.
a memory cell is programmed by injecting charge into a charge storage layer of the memory cell
une cellule de mémoire programmée par injection d'une charge dans une couche d'enregistrement de charge de la cellule mémoire
a ramped voltage turns on the selected memory cell when the ramped voltage reaches the threshold voltage to which the selected memory cell is programmed
une tension en dents de scie active la cellule de mémoire sélectionnée quand la tension en dents de scie atteint la tension de seuil pour laquelle la cellule de mémoire sélectionnée est programmée
if the selected memory cell is programmed, little or no current flows through the cell, and the bit line voltage rises and is sensed by the sense amplifier.
si la cellule de mémoire est programmée, peu ou pas de courant traverse la cellule cependant que la tension de la ligne de bits augmente et est détectée par l'amplificateur de détection.
In a non-volatile semiconductor memory system (or other type of memory system), a memory cell is programmed by changing the threshold voltage of that memory cell.
dans un système de mémoire rémanente à semi-conducteur (ou dans d'autres types de système de mémoire), on programme une cellule de mémoire en en modifiant la tension de seuil.
in a test mode, after the memory cell is programmed with a resistance state, the second reference voltage (different from the first reference voltage) is provided to the first transistor
en mode d'essai, après programmation de la cellule de mémoire avec un état de résistance, la seconde tension de référence (différente de la première tension de référence) est acheminée au premier transistor
the memory cell is programmed by applying a voltage potential between the column bitline and the row word line to produce a programmed n + region (501-figure in the substrate underlying the gate of the transistor.
la cellule mémoire est programmée par application d'une tension entre la ligne de bit en colonne et la ligne de mot en rangée afin de produire une région n + programmée dans le substrat sous-jacent à la grille du transistor.
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