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multi-quantum
Vertaling van "multi-quantum" in Frans
puits quantiques multiples
puits quantique multiple
multiples puits quantiques
multipuits quantiques contraints
à multi-puits quantiques
A carrier trap portion is formed in at least one layer within the multi-quantum well structure.
Une partie de piégeage de porteurs est formée dans au moins une couche de la structure à puits quantiques multiples.
More advanced periodical nanostructures were also fabricated in the case of multi-quantum well solar cells using nanoimprint lithography techniques.
Des nanostructures périodiques ont aussi été fabriquées dans le cas de cellules solaires à multi-puits quantiques par l'utilisation de lithographie en nanoimpression.
modulated multi-quantum well collector for hgcdte photodiodes
collecteur à puits quantiques multiples modulés pour photodiodes hgcdte
The multi-quantum well structure includes at least three quantum well regions and at least two barrier regions.
La structure de puits quantiques multiples comprend au moins trois régions de puits quantiques et au moins deux régions barrières.
Provided at low cost is a multi-quantum well solar cell such that recombination of carriers generated by light absorption is inhibited and high photoelectric conversion efficiency is achieved.
Une cellule solaire multi-puits quantique est fournie à faible coût, de telle sorte que la recombinaison des porteurs de charge générée par absorption de lumière est inhibée, et une efficacité de conversion photoélectrique élevée est obtenue.
concentrator solar cell having a multi-quantum well system in the depletion region of the cell
cellule photovoltaïque comprenant un système à plusieurs puits quantiques dans la zone d'appauvrissement de la cellule
The heterostructure substrate comprises a low bandgap waveguide layer and thinner multi-quantum well active regions disposed above the low bandgap waveguide layer.
Le substrat de l'hétérostructure comprend une couche guide à faible structure de bande et des régions actives à puits quantique multiple plus minces situées au-dessus de la couche guide à faible structure de bande.
The reflectors may be used in, for example, resonant cavities in which may be located, for example, multi-quantum well detectors, the efficiency of said detectors being increased by virtue of the enhanced electric field associated with resonance in the cavity.
Les réflecteurs peuvent être utilisés, par exemple, dans des cavités résonnantes dans lesquelles des détecteurs à puits quantiques multiples, par exemple, peuvent être placés, l'efficacité de ces détecteurs étant accrue grâce à un meilleur champ électrique et à la résonance de la cavité.
said first and second axes being perpendicular to one another and located in a plane that is parallel to the plane of the multi-quantum well structure. the invention can be used for infrared detection.
lesdites première et seconde directions étant perpendiculaires entre elles et situées dans un plan parallèle au plan de la structure à multipuits quantiques.
In addition, a second implanted region (201b) is created in the p-type layer and multi-quantum well immediately adjacent to etched n-type layer.
En outre, une seconde région implantée (201b) est créée dans la couche de type p et dans le puits quantique multiple, immédiatement adjacente à la couche de type n gravée.
by employing the first modulation doping layer and the second modulation doping layer, a prolongation of the process time can be prevented and stresses in a multi-quantum well structure can be alleviated.
en faisant appel à la première et à la seconde couche de dopage de modulation, il est possible d'éviter l'extension du temps de traitement et d'alléger les contraintes dans une structure à multiples puits quantiques.
The optical device includes a strained multi-quantum well semiconductor optical amplifier (114) coupled to a current source (102).
Le dispositif optique comprend un amplificateur optique à semi-conducteurs multipuits quantiques contraints couplé à une source de courant.
A semiconductor light-emitting device with improved emission characteristics comprises a buffer layer, an n-type semiconductor layer, a multi-quantum well structure active layer (4) and a p-type semiconductor layer, all the layers being formed on a low-resistance silicon substrate.
Ledit dispositif comprend une couche tampon, une couche semi-conductrice de type n, une couche active de structure de puits quantique multiple (4) et une couche semi-conductrice de type p, toutes les couches étant formées sur un substrat en silicium à basse résistance.
Synoniemen voor multi-quantum in het Engels
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