Vertaling van "puits quantique multiple" in Engels
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multi-quantum well
multiple quantum well
multi-quantum-well
multiple-quantum-well
MQW
Le substrat de l'hétérostructure comprend une couche guide à faible structure de bande et des régions actives à puits quantique multiple plus minces situées au-dessus de la couche guide à faible structure de bande.
The heterostructure substrate comprises a low bandgap waveguide layer and thinner multi-quantum well active regions disposed above the low bandgap waveguide layer.
En outre, une seconde région implantée (201b) est créée dans la couche de type p et dans le puits quantique multiple, immédiatement adjacente à la couche de type n gravée.
In addition, a second implanted region (201b) is created in the p-type layer and multi-quantum well immediately adjacent to etched n-type layer.
dispositif photovoltaïque muni d'une partie à puits quantique multiple ingaas/ingap
La présente invention a trait à une cellule solaire à puits quantique multiple améliorée qui peut être réalisée en veillant que la bande interdite de chaque couche mince à puits quantique n'est pas uniforme par rapport à d'autres de ces couches.
An improved multiple quantum well solar cell can be achieved by ensuring the bandgap of each quantum well thin layer is not uniform compared with other such layers.
Le dispositif comprend un substrat, une première couche semi-conductrice dopée située au-dessus du substrat, une seconde couche semi-conductrice dopée située au-dessus de la première couche semi-conductrice dopée, et un puits quantique multiple (MQW) situé entre les première et seconde couches semi-conductrices dopées.
The device includes a substrate, a first doped semiconductor layer situated above the substrate, a second doped semiconductor layer situated above the first doped semiconductor layer, and a multi-quantum-well (MQW) situated between the first and the second doped semiconductor layers.
Le procédé comprend en outre la fabrication, sur chacune des structures mesa, d'une structure multicouche au nitrure d'indium gallium aluminium (InGaAlN) qui contient une couche du type p, une couche de puits quantique multiple, et une couche du type n.
The method further includes fabricating on each of the mesas an indium gallium aluminum nitride (InGaAlN) multilayer structure which contains a p-type layer, a multi-quantum-well layer, and an n-type layer.
Ledit dispositif comprend une couche tampon, une couche semi-conductrice de type n, une couche active de structure de puits quantique multiple (4) et une couche semi-conductrice de type p, toutes les couches étant formées sur un substrat en silicium à basse résistance.
A semiconductor light-emitting device with improved emission characteristics comprises a buffer layer, an n-type semiconductor layer, a multi-quantum well structure active layer (4) and a p-type semiconductor layer, all the layers being formed on a low-resistance silicon substrate.
Une couche de type p (105), un puits quantique multiple(104) et une couche de type n (103) sont disposés sur un substrat (101).
A p-type layer (105), multi-quantum well (104) and n-type (103) layer are disposed on a substrate (101).
un modulateur asymétrique de fabry et perot comprend une diode p-i-n à puits quantique multiple (MQN) définie par une surface frontale ayant une réflectivité de 0,3 ainsi que par une surface arrière ayant une réflectivité de 0,95
an asymmetric fabry-perot modulator comprises a multiple quantum well (MQW) p-i-n diode defined by a front surface of reflectivity 0.3 and back surface of reflectivity 0.95
L'invention porte sur une structure de puits quantique multiple (MQW) pour une diode électroluminescente (DEL) et sur un procédé pour fabriquer une structure MQW pour une diode électroluminescente.
A multiple quantum well (MQW) structure for a light emitting diode and a method for fabricating a MQW structure for a light emitting diode are provided.
un photodétecteur multispectre obtenu par croissance épitaxiale sur un substrat, tel que InP, GaAs, ou si, qui comprend des ensembles de couches à puits quantique multiple
a multispectral detector is grown epitaxially on a substrate such as InP, GaAs, or si and comprises sets of multi-quantum well layers
la couche active de structure de puits quantique multiple comporte une pluralité de couches barrières composées de InyGa1-yN, une pluralité de premières couches auxiliaires composées de AlaGabIn1-a-bN, une pluralité de couches de puits composées de InxGa1-xN, et une pluralité de secondes couches auxiliaires composées de Ala'Gab'In 1-a'-b'N
the multi-quantum well structure active layer comprises a plurality of barrier layers composed of InyGa1-yN, a plurality of first auxiliary layers composed of AlaGabIn1-a-bN, a plurality of well layers composed of InxGa1-xN, and a plurality of second auxiliary layers composed of Ala'Gab'In 1-a'-b'N
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE À BASE D'INGAN
METHOD FOR FABRICATING INGAN-BASED MULTI-QUANTUM WELL LAYERS
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