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An improved multiple quantum well solar cell can be achieved by ensuring the bandgap of each quantum well thin layer is not uniform compared with other such layers.
La présente invention a trait à une cellule solaire à puits quantique multiple améliorée qui peut être réalisée en veillant que la bande interdite de chaque couche mince à puits quantique n'est pas uniforme par rapport à d'autres de ces couches.
arranged on the multiple quantum well layer, and a window layer
the active region may be a multiple quantum well active region.
cette zone active peut être une zone active à multiples puits quantiques.
Semiconductor gain material can be bulk semiconductor material or comprise a semiconductor multiple quantum well region.
La matière de gain semi-conductrice peut être une matière semi-conductrice de substrat ou comporter une région semi-conductrice à multiples puits quantiques.
the active layer comprises a window region adjacent to at least one edge face and an internal region having a multiple quantum well structure
la couche active comprend une zone de fenêtre adjacente à au moins une face de bord et une zone interne comprenant une structure à puits quantiques multiples
having a multiple quantum well structure comprising a well layer and a barrier layer for separating well layers from each other, and
ayant une structure à puits quantiques multiples comprenant une couche à puits et une couche barrière afin de séparer les couches à puits les unes des autres, et
a nitride semiconductor light-emitting element exhibiting high internal quantum efficiency by accelerating recombination light emission while employing such a multiple quantum well structure wherein a well layer has a relatively large thickness
un élément semi-conducteur émetteur de lumière au nitrure présentant une efficacité quantique interne élevée en accélérant l'émission de lumière de recombinaison tout en employant une structure à puits quantiques multiples dans laquelle une couche de puits présente une épaisseur relativement importante
or if the light-emitting layer has a multiple quantum well structure, the a-axis lattice constant determined from the zero-order peak representing the average composition of the well layers and barrier layers
ou, si la couche électroluminescente possède une structure à puits quantiques multiples, le paramètre de réseau cristallin de l'axe des a déterminé à partir de la crête d'ordre zéro représentant la composition moyenne des couches de puits et des couches de barrière
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