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nitride-based semiconductor layer
Vertaling van "nitride-based semiconductor layer" in Frans
couche de semi-conducteur à base de nitrure
couche semi-conductrice à base de nitrure
and a three-dimensional void defined by the void inducing groove and the nitride-based semiconductor layer.
et un vide tridimensionnel formé par ladite rainure et la couche de semi-conducteur à base de nitrure.
a semiconductor structure includes a substrate having a first nitride-based semiconductor layer
une structure de semi-conducteur qui comprend un substrat ayant une première couche de semi-conducteur à base de nitrure
The present invention provides a gallium nitride-based semiconductor layer having superior crystal quality on a gallium nitride substrate by adopting an intermediate layer.
La présente invention porte sur une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium qui présente une qualité cristalline supérieure sur un substrat en nitrure de gallium par adoption d'une couche intermédiaire.
Here, the intermediate layer is a gallium nitride-based semiconductor layer that contains aluminum and has a band gap wider than that of a gallium nitride layer.
Ainsi, la couche intermédiaire est une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium qui contient de l'aluminium et présente une bande interdite qui est plus large que celle de la couche de nitrure de gallium.
Furthermore, the first semiconductor layer has a thickness of 5 μm to 15μm, and the electron blocking layer is a four-component gallium nitride-based semiconductor layer that contains aluminum and indium.
En outre, la première couche semi-conductrice présente une épaisseur comprise entre 5 μm et 15 μm, et la couche d'arrêt électronique est la couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium à quatre composants qui contient de l'aluminium et de l'indium.
the present invention provides a gallium nitride-based compound semiconductor comprising a substrate, a buffer layer containing boron and formed on the substrate, and a gallium nitride-based semiconductor layer formed on the buffer layer
la présente invention concerne un composé semi-conducteur à base de nitrure de gallium comportant un substrat, une couche tampon contenant du bore et formée sur le substrat, et une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium formée sur la couche tampon
Disclosed is a group III nitride semiconductor device having a p-type gallium nitride-based semiconductor layer with reduced oxygen concentration.
The first p-type gallium nitride-based semiconductor layer (21) has a concentration ratio (Noxg/Npd) of the p-type dopant concentration (Npd) to the oxygen concentration (Noxg) of 1/10 or less.
Le rapport (Noxg/Npd) entre la concentration (Npd) de dopant de type p et la concentration (Noxg) d'oxygène dans la première couche de type p semi-conductrice (21) de nitrure de gallium, est inférieur ou égal à 1/10.
METHOD OF FABRICATING NON-POLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM NON POLAIRE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR NON POLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
a pseudomorphic protective layer is formed on the first nitride-based semiconductor layer and a second nitride-based semiconductor layer is formed on the pseudomorphic protective layer
une couche protectrice pseudomorphique est formée sur la première couche de semi-conducteur à base de nitrure et une seconde couche de semi-conducteur à base de nitrure est formée sur la couche protectrice pseudomorphique
the pseudomorphic protective layer has a thickness that is less than a critical thickness so that it drives the material quality of the second nitride-based semiconductor layer to correspond with that of the first nitride-based semiconductor layer.
la couche protectrice pseudomorphique a une épaisseur qui est inférieure à une épaisseur critique de sorte qu'elle amène la qualité du matériau de la seconde couche de semi-conducteur à base de nitrure à correspondre avec celle de la première couche de semi-conducteur à base de nitrure.
according to the present invention, there is provided a gallium nitride-based II-v group compound semiconductor device comprising a gallium nitride-based semiconductor layer and an ohmic electrode layer formed on the gallium nitride-based semiconductor layer
le dispositif à semi-conducteurs de composés des groupes III-v à base de nitrure de gallium de l'invention comprend une couche de semi-conducteur à base de nitrure de gallium et une couche d'électrode ohmique formée sur la couche de semi-conducteur à base de nitrure de gallium
a nitride-based semiconductor layer formed on the void inducing pattern
une couche de semi-conducteur à base de nitrure qui est formée sur ledit tracé
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