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du réseau de DRAM
By writing to and reading from each memory location of the DRAM array, memory integrity is assured.
Le fait d'écrire et de lire à chaque emplacement de mémoire de la matrice RAM dynamique permet d'assurer l'intégrité de la mémoire.
the subsequent rising edge is then used to initiate the column address decoding operation of the DRAM array
During a self-refresh cycle, a first portion of a first row of the DRAM array is accessed and analyzed for one or more errors, wherein a bit width of the first portion is less than a bit width of the first row.
Pendant un cycle d'autorégénération, une première partie d'une première ligne du réseau DRAM est accessible et analysée pour détecter une ou plusieurs erreurs, une largeur binaire de la première partie étant inférieure à une largeur binaire de la première ligne.
The memory can be configured to perform a method in which a word line of the DRAM array (100) is set to an active state.
La mémoire peut être configurée pour réaliser un procédé dans lequel une ligne de mot du réseau de DRAM (100) est réglée à un état actif.
both embodiments effectively increase the data rate of the DRAM array, thereby providing additional time for precharging the DRAM array
ces deux mode de réalisation augmentent de manière efficace le débit de données de l'ensemble mémoire vive dynamique, donnant ainsi un temps supplémentaire pour précharger ce dernier
as a result the precharging of the DRAM array is transparent to the CPU bus.
il en résulte que la précharge dudit ensemble est transparente pour le bus de l'unité centrale.
These steps can be repeated using each of a remaining number of word lines of all or a selected range of the DRAM array so as to erase the data stored in all of the DRAM array or a selected range.
Ces étapes peuvent être répétées à l'aide de chacun d'un nombre restant de lignes de mot de tout ou d'une plage sélectionnée du réseau de DRAM de manière à effacer les données stockées dans tout le réseau de DRAM ou une plage sélectionnée.
When data written to and read from the cell address is identical, the row configuration of the DRAM array is identified and accordingly, the row by column structure and integrity of the DRAM array are known.
Lorsque les données lues et écrites dans l'adresse de cellule sont identiques, on peut identifier la configuration en rangée de la mémoire RAM dynamique et, par la même, connaître la rangée de la structure en colonne et assurer l'intégrité de la mémoire DRAM.
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