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p type semiconductor layer

Vertaling van "p type semiconductor layer" in Frans

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couche semi-conductrice de type p
are provided as light receiving parts on the surface part of the p type semiconductor layer
constituent des parties de réception de rayonnement lumineux sur la surface de la couche semi-conductrice de type p
laminating the semiconductor layers on the substrate, the semiconductor layers having the active layer between the n type semiconductor layer and the p type semiconductor layer
laminage des couches semi-conductrices sur le substrat, lesdites couches contenant la couche active entre la couche semi-conductrice de type n et la couche semi-conductrice de type p
the present invention provides a method of fabricating a light emitting diode chip having an active layer between an n type semiconductor layer and a p type semiconductor layer. the method comprises the steps of preparing a substrate
l'invention concerne un procédé permettant la fabrication d'une puce à diode électroluminescente présentant une couche active située entre une couche semi-conductrice de type n et une couche semi-conductrice de type p le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes: préparation d'un substrat
an antireflection film structure comprising a first silicon oxide film formed by thermal oxidation and a second silicon oxide film formed by CVD is provided on the p type semiconductor layer
une structure de film antiréfléchissant comprenant un premier film d'oxyde de silicium formé par oxydation thermique et un second film d'oxyde de silicium formé par dépôt chimique en phase vapeur sont mis en oeuvre sur la couche semi-conductrice de type p
From the P type semiconductor layer to the some part of the N type semiconductor layer are eliminated, so other part of the N type semiconductor layer is exposed.
La portion allant de la couche semi-conductrice de type P jusqu'à une partie de la couche semi-conductrice de type N est éliminée de telle sorte que l'autre partie de la couche semi-conductrice de type N est exposée.
The present invention provides a light emitting diode equipped with a microlens having an N type semiconductor layer, an active layer, and a P type semiconductor layer in the right order on the upper side of the substrate.
Cette invention concerne une diode électroluminescente équipée d'une mini-lentille comprenant, dans l'ordre, une couche semi-conductrice de type N, une couche active et une couche semi-conductrice de type P déposées sur le côté supérieur du substrat.
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Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
rocket: vehicle designed for space travel
Ontdek het woord
rocket
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Suggesties

and a p-type semiconductor layer 1
a p-type nitride semiconductor layer 1
second p-type semiconductor layer 1
of the p-type semiconductor layer 1
the p-type nitride semiconductor layer 1
and the p-type semiconductor layer 1
on the p-type semiconductor layer 1
between the p-type semiconductor layer 1

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