A column of p- type dopant in the super junction is separated from a first column of n-type dopant by a first column of oxide and from a second column of n-type dopant by a second column of oxide.
Une colonne de dopant de type p dans la super jonction est séparée d'une première colonne de dopant de type n par une première colonne d'oxyde et d'une deuxième colonne de dopant de type n par une deuxième colonne d'oxyde.
The p-electrode includes a reflective first material (26) in direct contact with a first portion of the p- type region and a second material (30) in direct contact with a second portion of the p-type region adjacent to the first portion.
L'électrode p comprend une première matière réfléchissante (26) en contact direct avec une première partie de la région de type p et une seconde matière (30) en contact direct avec une seconde partie de la région de type p adjacente à la première partie.
A p- type doped group III-nitride layer is formed in the reaction chamber, above the substrate, while a total pressure in the reaction chamber is approximately in the range of 300 - 760 Torr.
Une couche de nitrure d'un élément du groupe III dopé de type p est formée dans la chambre de réaction, au-dessus du substrat, alors qu'une pression totale dans la chambre de réaction est approximativement dans la plage de 300-760 Torr.
The process includes forming a p- type absorber layer above the CdSSe layer.
Le processus comprend la formation d'une couche d'absorption de type p par-dessus la couche de CdSSe.
In a specific embodiment, the P absorber layer has a P- type impurity characteristics and a first optical absorption coefficient greater than 104 cm -1 in a wavelength range comprising 400 nm to 800 nm.
Dans un mode de réalisation spécifique, la couche d'absorbeur de type P présente des caractéristiques d'impureté de type P et un premier coefficient d'absorption optique supérieur à 104 cm-1 dans une plage de longueur d'onde allant de 400 nm à 800 nm.
A photodiode includes n- and p- type regions and an intrinsic substrate portion in lateral alignment.
Une photodiode comprend des zones de type n et p et une partie substrat intrinsèque en alignement latéral.
Pairs of n- and p- type fins can be formed from the first and second epitaxial regions.
Des paires d'ailettes de type n et p peuvent être formées à partir des premières et secondes régions épitaxiales.
The surface of the substrate can be doped by including n - or p- type dopants in the adsorbate molecules.
Pour doper la surface du substrat, on peut inclure des dopants du type n ou du type p dans les molécules d'adsorbat.
The p-type organic compound layer forms an NP junction between the n-type organic compound layer and the p- type organic compound layer.
La couche de composé organique de type p forme une jonction NP entre la couche de composé organique de type n et la couche de composé organique de type p.
Furthermore, for the p- type semiconductor portion (14b), at least a portion of a side surface (14bS) of the same is in contact with a side surface (14aS) of the p+ type semiconductor portion (14a).
D'autre part, pour la portion semi-conductrice de type P- (14b), au moins une portion d'une surface latérale (14bS) de celle-ci est en contact avec une surface latérale (14aS) de la portion semi-conductrice de type P+ (14a).