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p-type base
Vertaling van "p-type base" in Frans
de base de type p
de base type p
and an external base layer adjacent to the p-type base layer are provided
et une couche de base externe située contre la couche de base de type p
a p-type base layer being divided into a first lower highly doped base sub-layer
une couche de base de type p divisée en une première sous-couche de base inférieure fortement dopée
thus, the resistance value of p-type pinch layer formed directly under the n + source layer of the p-type base region can be reduced by the amount.
ainsi, la valeur de résistance de la couche de striction type p formée directement sous la couche source n + de la région de base type p peut être réduite d'une grandeur correspondant à ce niveau de densité d'impuretés.
A groove having a gate structure is substantially formed by the LOCOS method prior to forming the p-type base layer and the n+-type source layer.
A cet effet, une rainure possédant une structure de porte est essentiellement formée par le procédé LOCOS avant la formation de la couche de base type p et de la couche source type n+.
Specifically, the p-type base region and the n-type region form a p-n diode under the border of the base contact region.
La zone de base de type p et la zone de type n forment, spécifiquement, une diode p-n au-dessous de la bordure de la zone de contact de base.
The storage-type channel area is comprised of a first area which is provided on the p-type base area and has a predetermined thickness, and a second area which is the area other than the first area.
La zone de canal de stockage comporte une première zone qui est prévue sur la zone de base de type p et présente une épaisseur prédéterminée, et une seconde zone qui la région distincte de la première zone.
a method in accordance with one embodiment of the present invention may be used to self-align p + isolation regions, p-wells, p-type base regions, and n + collector contacts
on peut utiliser un procédé selon un mode de réalisation de la présente invention, afin d'aligner automatiquement les régions p + d'isolement, les puits p, les régions de base de type p ainsi que les régions de contacts collecteurs n +
particularly, the uppermost part of the p-type base layer and the n-type emitter layer are short-lifetime regions where the lifetime of the carriers are shorter than that in the n-type collector layer.
plus particulièrement, la partie supérieure de la couche de base de type p et la couche émettrice de type n sont des zones de courte durée de vie, la durée de vie des porteuses étant plus courte que celle de la couche collecteur de type n.
in this improved method, the p + isolation regions, p-wells, p-type base regions, and n + collector contacts are defined using a single masking step and are thus automatically self-aligned
dans ce procédé amélioré, les régions p + d'isolement, les puits p, les régions de base de type p ainsi que les régions de contacts collecteurs n +, sont délimités à l'aide d'une seule opération de masquage, et sont ainsi alignés automatiquement
an insulated gate semiconductor device comprising an n - type base region, a p +-type collector region, a p-type base region and an n +-type emitter region
il est prévu un dispositif semi-conducteur de grille isolé comprenant une zone de base de type n -, une zone de collecteur de type p +, une zone de base de type p et une zone émetteur de type n +
An n-type emitter region (16a) that is in contact with the gate trench (13a) is formed on a surface layer of the p-type base region (12a, 12b).
Une zone d'émission de type n (16a) en contact avec la tranchée de grille (13a) est formée sur une couche superficielle de la zone de base de type p (12a, 12b).
The p-type counter layer (7) is formed so as to be shallower than the p-type base layer (4).
La contre-couche de type p (7) est formée de façon à être moins profonde que la couche de base de type p (4).
Hence, in the uppermost surface, the junction depth of the p-type base regions (8) in the lateral direction is compensated, and the channel length of channels (9) is shortened substantially.
Ainsi, dans la surface supérieure, la profondeur de jonction des régions de base type P (8) dans le sens latéral est compensée, et la longueur des canaux (9) est sensiblement réduite.
Synoniemen voor p-type base in het Engels
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Suggesties
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