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impulsions de programmation
impulsions de programme
at which point the smaller increment value is used for subsequent program pulses.
point au-delà duquel la valeur d'incrément inférieur est utilisée pour les impulsions de programmation subséquentes.
Further, the program pulses are sharply stepped up to program the slow high state cells.
En outre, les impulsions de programmation sont fortement intensifiées pour programmer les cellules à l'état élevé lentes.
A program iteration includes multiple program pulses.
these identified memory cells are programmed with one or more program pulses to raise the threshold voltage of the corresponding memory cell up to the programmed reference level.
ces cellules de mémoire identifiées sont programmées avec une ou plusieurs impulsions de programme afin d'élever la tension de seuil de la cellule correspondante jusqu'au niveau de référence programmé.
In another embodiment, after the pulses reach the maximum magnitude multiple program pulses are applied between verification operations.
Dans un autre mode de réalisation, après que les impulsions atteignent la grandeur maximale, de multiples impulsions de programmation sont appliquées entre des opérations de vérification.
then a larger increment value is used for subsequent program pulses until one non-volatile storage element (or some other minimum number) has been programmed past the test threshold
alors une valeur d'incrément plus importante est utilisée pour les impulsions de programmation subséquentes jusqu'à ce qu'un élément de stockage non volatil (ou un autre nombre minimum de ces éléments) a été programmé au-delà du seuil d'essai
If so, the set of non-volatile memory elements is considered to have one or more fast programming non-volatile storage elements and future programming is performed using a smaller increment value for subsequent program pulses.
Si cela est le cas, l'ensemble des éléments de mémoire non volatils est considéré contenir au moins un élément de stockage non volatil de programmation rapide et une programmation ultérieure est effectuée au moyen d'un valeur incrémentale inférieure associée à des impulsions de programmation subséquentes.
for one embodiment, a program starting voltage of one or more program pulses applied to one or more memory cells
selon un mode de réalisation de l'invention, une tension de démarrage de programmation d'une ou plusieurs impulsions de programmation appliquées à une ou plusieurs cellules de mémoire
CREATING SHORT PROGRAM PULSES IN RRAM WHEREIN THE BITLINES ARE LONGER THAN THE WORDLINES
CRÉATION D'IMPULSIONS DE PROGRAMMATION COURTES DANS DES MATRICES DE MÉMOIRE ASYMÉTRIQUES DANS LESQUELLES LES LIGNES BINAIRES SONT PLUS LONGUES QUE LES LIGNES DE MOTS
Latches maintain the count of program pulses experienced by the associated storage element, while in the slow programming mode.
Des verrous conservent le compte d'impulsions de programme subi par l'élément de stockage associé alors qu'il se trouve en mode de programmation lente.
For example, a set of program pulses is applied to the word line for a set of flash memory cells.
Par exemple, un ensemble d'impulsions de programme est appliqué à une ligne de mots pour un ensemble de cellules de mémoire flash.
A count is maintained of a number of program pulses which are applied to an individual storage element in a slow programming mode, and an associated bit line voltage is adjusted based on the count.
Selon l'invention, on conserve un compte d'un nombre d'impulsions de programme qui sont appliquées à un élément de stockage individuel en mode de programmation lente et une tension de lignes de bits associée est réglée sur la base du compte.
This allows the programming time period of the program pulse to be increased to a value that compensates for the increased charge-up time that is required for the higher amplitude program pulses to reach the desired programming voltage.
Cela permet d'augmenter la période temporelle de programmation de la pulsation du programme jusqu'à une valeur qui compense l'augmentation du temps de charge requis pour que les pulsations de programme d'amplitude supérieure atteignent la tension de programmation requise.
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