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wafer bonding process
Vertaling van "wafer bonding process" in Frans
processus de liaison de tranche
procédé de métallisation de disque
The low-stress wafer bonding process remains compatible with future requirements for submicron alignment accuracy.
Le procédé de métallisation de disque de faible-stress demeure compatible avec de futures conditions pour l'exactitude submicronique de cadrage.
The bonding time is used as a real-time quality control parameter for the wafer bonding process.
Le temps de liaison est utilisé en tant que paramètre de contrôle de qualité en temps réel pour le processus de liaison de tranche.
The optical circuit wafer and the integrated circuit wafer are bonded together by a wafer bonding process.
La galette de circuit optique et la galette de circuit intégré sont collées l'une à l'autre par un processus de métallisation de galette.
In a wafer bonding process, one or both of two wafer substrates are scored prior to bonding.
Selon la présente invention, dans un processus de liaison de tranches, l'un ou les deux de deux substrats de tranche sont entaillés avant la liaison.
Additionally, the conductive contact may be formed in a donor wafer, which in turn may be bonded to a dielectric material overlying a memory array using another wafer bonding process.
De plus, le contact conducteur peut être formé dans une tranche donneuse, qui à son tour peut être liée à un matériau diélectrique recouvrant un réseau de mémoire utilisant un autre processus de liaison de tranche.
the first wafer and the second wafer can be bonded together by a wafer bonding process that forms a gap between the first wafer and the second wafer
la première et la seconde tranche peuvent être reliées l'une à l'autre grâce à un procédé de liaison de tranches qui forme un interstice entre elles
This is achieved by a method for joining two semiconductor wafers (1, 10) using a semiconductor wafer bonding process (1, 4, 10).
A cet effet, le procédé selon l'invention consiste à relier deux tranches de semi-conducteurs (1, 10) par un processus de soudage de tranches de semi-conducteurs (1, 4, 10).
A direct wafer bonding process for joining GaN and silicon substrates involves pre-treating each of the wafers in an ammonia plasma in order to render the respective contact surfaces ammophilic.
La présente invention concerne un procédé de liaison de tranche directe permettant de joindre des substrats en GaN et en silicium, qui consiste à prétraiter chacune des tranches dans un plasma à l'ammoniac dans le but de rendre ammophiles les surfaces de contact respectives.
The developed MEMS wafer bonding process utilizes gold-tin solder electroplating and provides liquid-proof sealing and multiple reliable electrical connections between the bonded wafers.
Le procédé développé de métallisation de disque de MEMS emploie la soudure d'or-étain plaquant et fournit la chasse aux phoques à l'épreuve des liquides et les connexions électriques fiables multiples entre les disques métallisés.
Abstract: The direct wafer bonding process involves a coupled physical system, formed by the elastic deformation of the wafers and a thin layer of fluid trapped in-between the two wafers.
Résumé : Lors de l'assemblage de wafers par adhésion moléculaire, un mince film d'air est piégé entre les deux wafers, créant ainsi un système fluide/structure couplé.
The resulting structures are CMUT arrays integrated with active electronics by a low-temperature wafer bonding process.
Les structures résultantes sont des matrices de CMUT intégrées avec des circuits électroniques actifs par un procédé de collage de tranche basse température.
This is especially critical for the wafer bonding process, which is needed to transfer the active LED layer from epitaxial substrates onto carrier wafers with thermal properties better suited for HB-LED devices.
C'est particulièrement critique pour le procédé de métallisation de disque, qui est nécessaire pour transférer la couche active de LED à partir des substrats épitaxiaux sur des disques de porteur avec meilleur thermique de propriétés adapté aux dispositifs de HB-LED.
after the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.
après l'opération de collage de plaquettes, le ZnO est travaillé en vue d'une augmentation de l'extraction lumineuse depuis l'intérieur de la DEL.
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Synoniemen voor wafer bonding process in het Engels
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