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resist pattern formation method
Vertaling van "resist pattern formation method" in Japans
レジストパターン形成方法
Disclosed are: a resist composition and a resist pattern formation method, both of which enable the formation of a fine resist pattern having good lithographic properties; a novel polymeric compound which is useful for the resist composition; and a compound which is useful as a monomer for the polymeric compound.
微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物が提供される。
Specifically disclosed are: a cyclic compound having a specific structure; a process for producing the cyclic compound; a radiation-sensitive composition containing the compound; and a resist pattern formation method using the composition.
特定構造を有する環状化合物、その製造方法、該化合物を含む感放射性組成物、及び該組成物を用いるレジストパターン形成方法。
Disclosed are: a cyclic compound which has high solubility in a safe solvent, is highly sensitive, enables the formation of a resist pattern having a good shape, and rarely causes resist pattern collapse; a process for producing the cyclic compound; a radiation-sensitive composition containing the cyclic compound; and a resist pattern formation method using the composition.
安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度でかつ、得られるレジストパターン形状が良好で、レジストパターン倒れを生じにくい環状化合物、その製造方法、その環状化合物を含む感放射線性組成物、及び該組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
The resist pattern formation method comprises (1) a resist film formation step in which a radiation-sensitive resin composition is applied to a substrate, (2) an exposure step, and (3) a development step in which a developing liquid comprising 80 mass% or more organic solvent is used, and is characterized in that the radiation-sensitive resin composition comprises [A] a polymer which has a weight-average molecular weight exceeding 6,000 in terms of polystyrene, has a structural unit containing an acid-dissociable group, and has a content of hydroxy-containing structural units of less than 5 mol% and [B] a radiation-sensitive acid generator.
本発明は、（１）感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、（２）露光工程、及び（３）有機溶媒を８０質量％以上含有する現像液を用いる現像工程を有するレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］ポリスチレン換算重量平均分子量が６，０００を超え、酸解離性基を含む構造単位を有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が５モル％未満である重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする。
The present invention is a resist pattern formation method comprising (1) a step of forming a resist film having a surface free energy of 30 to 40 mN/m inclusive on a substrate using a radiation-sensitive resin composition, (2) a step of exposing the resist film by the irradiation with an radioactive ray through a mask, and (3) a step of developing the exposed resist film.
本発明は、（１）感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に表面自由エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下のレジスト膜を形成する工程、（２）マスクを介した放射線照射により、上記レジスト膜を露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法である。
The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive resin composition which, when used in a resist pattern formation method in which a developing liquid comprising an organic solvent is used, gives a resist film that can be inhibited from suffering a film loss through pattern formation and form a resist pattern which is excellent in terms of CDU and MEEF and that sufficiently satisfies resolution; and a method for forming a resist pattern using the resin composition.
本発明は、有機溶媒を含有する現像液を用いるレジストパターン形成方法において、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制することができると共に、ＣＤＵ、ＭＥＥＦに優れるレジストパターンを形成することができ、解像性も十分満足する感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN MINIATURIZATION AGENT
レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤
SURFACE LAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法
RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYPHENOL DERIVATIVE USED IN SAME
レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体
RESIST PATTERN FORMATION DEVICE, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND WAFER LENS PRODUCTION METHOD
レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法
RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND RESIN COMPOSITION CAPABLE OF INSOLUBILIZING RESIST PATTERN
レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
ALICYCLIC COMPOUND, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, COMPOSITION CONTAINING SAME AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD USING SAME
脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
RESIN FOR FORMATION OF UPPER ANTIREFLECTIVE FILM, COMPOSITION FOR FORMATION OF UPPER ANTIREFLECTIVE FILM, AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法
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