Publiciteit
Registreer gratis: toegang tot meer resultaten en functies
GaAs
Definitie
Vertaling van "GaAs" in Pools
Definitie NEW
Gallium grains precipitated under the modified GaAs surface and they are not small at all.
Pod modyfikowaną powierzchnią GaAs wytrąciły się ziarna galu i to wcale nie małe.
High electron mobility at room temperature levels (≈ 130 × higher than for silicon, ≈ 25 × higher than for GaAs) and high electrical conductivity
Wysoka ruchliwość elektronów w temperaturze pokojowej (≈ 130 × wyższa niż w przypadku silikonu, ≈ 25 × wyższa niż w przypadku GaAs) i wyższa przewodność elektryczna
Furthermore, it should be noted that the production technology of SiC, due to the used substrates, in contrast to other semiconductor manufacturing technologies (eg. GaAs), is much less harmful to the environment.
Ponadto, należy zauważyć, że technologia wytwarzania SiC, ze względu na stosowane substraty, w odróżnieniu od technologii wytwarzania innych półprzewodników (np. GaAs), jest znacznie mniej szkodliwa dla środowiska.
The GaSb has similarities in the properties and behaviour with GaAs, and it is a potential material for the construction of the p-n diode, the photo-wave and thermo-photo-wave cells in solar panels and LCDs.
GaSb wykazuje podobne właściwości i zachowanie do GaAs, a to stwarza możliwość wykorzystania tego stopu do budowy diod p-n, elementów fotoelektrycznych i termofotoelektrycznych, wykorzystywanych w panelach słonecznych i LCD.
SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown.
SiC może wytrzymać gradient napięcia (lub pole elektryczne) ponad ośmiokrotnie większe niż Si lub GaAs bez ulegania rozpadowi lawinowemu.
Almost any type of the substrate (Si, GaAs, GaN, quartz, sapphire, glass)
Praktycznie dowolne podłoże o dowolnej orientacji (Si, GaAs, GaN, kwarc, szafir, szkło)
Key words: semiconductor laser, VCSEL, numerical modelling, oxidation, GaAs.
Słowa kluczowe: laser półprzewodnikowy, laser VCSEL, modelowanie, oksydacje, GaAs.
Considering the rapid growth of the market and high demand for innovative semiconductor materials, the Company intends to launch the production of epitaxial layers composed of elements from groups III and V of the Periodic Table (derivatives of gallium arsenide GaAs and indium phosphide InP).
Z uwagi na szybki wzrost rynku i duże zapotrzebowanie na innowacyjne materiały półprzewodnikowe Spółka zamierza uruchomić produkcję warstw epitaksjalnych z złożonych ze związków grupy III i V układu okresowego pierwiastków (pochodnych arsenku galu GaAs oraz fosforku indu InP).
The first semiconductor laser was demonstrated over 40 years ago and was made from Gallium Arsenide (GaAs).
Pierwszy laser półprzewodnikowy powstał już ponad 40 lat temu i był zbudowany z arsenku galu (GaAs).
does not control equipment as follows, when incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes
Pozycja 6A002.c nie obejmuje kontrolą poniższych urządzeń, jeżeli są wyposażone w fotokatody inne niż z GaAs lub GaInAs
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W
Fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) oparte na "związkach III/V" oraz fotokatody o elektronach przeniesionych, o maksymalnej czułości promieniowania powyżej 15 mA/W.
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes
Fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) oparte na "związkach III/V" oraz fotokatody o elektronach przeniesionych.
6A002.c. does not control equipment as follows, when incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes
Pozycja 6A002.c nie obejmuje kontrolą poniższych urządzeń, jeżeli są wyposażone w fotokatody inne niż z GaAs lub GaInAs
Synoniemen voor GaAs in het Engels
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Suggesties
Resultaten: 57. Exact: 57. Verstreken tijd: 43 ms.
