Pod modyfikowaną powierzchnią GaAs wytrąciły się ziarna galu i to wcale nie małe.
Gallium grains precipitated under the modified GaAs surface and they are not small at all.
Wysoka ruchliwość elektronów w temperaturze pokojowej (≈ 130 × wyższa niż w przypadku silikonu, ≈ 25 × wyższa niż w przypadku GaAs) i wyższa przewodność elektryczna
High electron mobility at room temperature levels (≈ 130 × higher than for silicon, ≈ 25 × higher than for GaAs) and high electrical conductivity
Ponadto, należy zauważyć, że technologia wytwarzania SiC, ze względu na stosowane substraty, w odróżnieniu od technologii wytwarzania innych półprzewodników (np. GaAs), jest znacznie mniej szkodliwa dla środowiska.
Furthermore, it should be noted that the production technology of SiC, due to the used substrates, in contrast to other semiconductor manufacturing technologies (eg. GaAs), is much less harmful to the environment.
GaSb wykazuje podobne właściwości i zachowanie do GaAs, a to stwarza możliwość wykorzystania tego stopu do budowy diod p-n, elementów fotoelektrycznych i termofotoelektrycznych, wykorzystywanych w panelach słonecznych i LCD.
The GaSb has similarities in the properties and behaviour with GaAs, and it is a potential material for the construction of the p-n diode, the photo-wave and thermo-photo-wave cells in solar panels and LCDs.
SiC może wytrzymać gradient napięcia (lub pole elektryczne) ponad ośmiokrotnie większe niż Si lub GaAs bez ulegania rozpadowi lawinowemu.
SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown.
Praktycznie dowolne podłoże o dowolnej orientacji (Si, GaAs, GaN, kwarc, szafir, szkło)
Almost any type of the substrate (Si, GaAs, GaN, quartz, sapphire, glass)
Słowa kluczowe: laser półprzewodnikowy, laser VCSEL, modelowanie, oksydacje, GaAs.
Key words: semiconductor laser, VCSEL, numerical modelling, oxidation, GaAs.
GaAs; oczyszczanie; wytrawianie; wodór atomowy; spektroskopia elektronów Zasieg terytorialny
InP; annealing; passivation; cleaning; interface; Fermi level; photoluminescence
Z uwagi na szybki wzrost rynku i duże zapotrzebowanie na innowacyjne materiały półprzewodnikowe Spółka zamierza uruchomić produkcję warstw epitaksjalnych z złożonych ze związków grupy III i V układu okresowego pierwiastków (pochodnych arsenku galu GaAs oraz fosforku indu InP).
Considering the rapid growth of the market and high demand for innovative semiconductor materials, the Company intends to launch the production of epitaxial layers composed of elements from groups III and V of the Periodic Table (derivatives of gallium arsenide GaAs and indium phosphide InP).
Pierwszy laser półprzewodnikowy powstał już ponad 40 lat temu i był zbudowany z arsenku galu (GaAs).
The first semiconductor laser was demonstrated over 40 years ago and was made from Gallium Arsenide (GaAs).
Pozycja 6A002.c nie obejmuje kontrolą poniższych urządzeń, jeżeli są wyposażone w fotokatody inne niż z GaAs lub GaInAs
does not control equipment as follows, when incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes
Fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) oparte na "związkach III/V" oraz fotokatody o elektronach przeniesionych, o maksymalnej czułości promieniowania powyżej 15 mA/W.
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W
Fotokatody półprzewodnikowe (np. GaAs lub GaInAs) oparte na "związkach III/V" oraz fotokatody o elektronach przeniesionych.
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes
