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Ga
Jahresvergleich
Ga
AG
M. Ga et moi allons travailler sur autre chose.
Hr. Ga und ich werden so lange an etwas anderem arbeiten.
M. Ga allait partager sa nouvelle découverte.
Hr. Ga wollte gerade seine neuen Erkenntnisse mit uns teilen.
Beaucoup de formes évoquent également des proverbes, qui sont interprétés des Ga de différentes manières.
Viele Sargmotive verweisen auf Sprichwörter, die von den Ga unterschiedlich interpretiert werden.
Alors, toi et M. Ga êtes les seuls à le savoir?
Also wissen es nur du und Hr. Ga?
Ga fait huit ans qu'on se parle au moins 20 fois par jour.
Ich spreche seit acht Jahren täglich mindestens 20 Mal mit dir.
En Ga 4,22-31, une audacieuse interprétation typologique aboutit aux mêmes conclusions.
In Gal 4, 22-31 führt eine kühne typologische Interpretation zu dem gleichen Ergebnis.
Nous sommes alors à 4,5 Ga dans le passé.
Anschließend wurde mit 4,5 g in den Steigflug gezogen.
M. Ga, on pourrait dire pareil pour vous.
Hr. Ga, hatten Sie schon Beziehungen?
Alliage selon la revendication 1, dans lequel le Ga est présent dans des quantités allant jusqu'à 0,25% en poids.
Legierung nach Anspruch 1, worin Ga in Mengen bis zu 0,25 Gew.-% vorliegt.
Des personnes mesquines, malheureuses, et inspirées seulement par leur égoïsme fatal (cf. Ga 5, 16-25).
Es sind kleinliche, unglückliche Menschen, die nur von ihrem fatalen Egoismus geleitet sind (vgl. Gal 5, 16-25).
Ne nous lassons pas de faire le bien pendant que nous en avons le temps (cf. Ga 6, 9-10).
Lasst uns nicht müde werden, Gutes zu tun, solange wir Zeit dazu haben (vgl. Gal 6, 9-10).
Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit gaz réducteur (Ga) comprend au moins un gaz choisi dans le groupe constitué du gaz ammoniac, d'un gaz d'hydrocarbure et du gaz hydrogène.
Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet dadurch, daß das reduzierende Gas (Ga) mindestens eines umfaßt, das aus der Gruppe, die aus Ammoniakgas, Kohlenwasserstoffgas und Wasserstoffgas besteht, ausgewählt wird.
Laser selon la revendication 13, dans lequel lesdites couches actives de ladite structure de gain sont des couches de matériau semiconducteur ayant une composition de In 0,18 Ga 0,82 As et ladite longueur d'onde du rayonnement fondamental est de 976 nm.
Laser nach Anspruch 13, worin die aktiven Schichten der Verstärkerstruktur Schichten eines Halbleitermaterials mit einer Zusammensetzung In 0,18 Ga 0,82 As sind und die Wellenlänge der fundamentalen Strahlung 976 nm beträgt.
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Synoniemen voor Ga in het Frans

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