Transistor à base perméable à émetteur formé par croissance sélective.
Permeable Base Transistor mit selektiv gewachsenem Emitter.
Transistor avec une base mince et procédé pour sa fabrication.
Transistor mit schmaler Basis und dessen Herstellungsverfahren.
Transistor à barrière d'énergie ajustable et son application.
Transistor mit einstellbarer Energiebarriere und seine Verwendung.
Transistor ayant une base à faible concentration d'impuretés.
Transistor mit einer niedrig dotierten Basis.
Transistor à effet tunnel résonnant et extinction séquentielle.
Sequentiell ausschaltbarer Transistor mit resonantem Tunneleffekt.
Transistor à grille isolée à verrouillage inhibé.
Transistor mit isoliertem Gate, bei dem "latching" verhindert wird.
Transistor bipolare ayant une région de base épitaxiale améliorée et sa méthode de fabrication
Bipolarer Transistor mit einer verbesserten epitaktischen Basiszone und dessen Herstellungsverfahren
Transistor programmable protégé avec une capacité parasitaire réduite et procédé de fabrication
Geschützter programmierbarer Transistor mit reduzierter parasitärer Kapazität und dessen Herstellungsverfahren
Transistor de gain en courant prédéterminé dans un circuit intégré bipolaire
Transistor mit einer vorbestimmten Stromverstärkung in einer integrierten Bipolarschaltung
Transistor vertical pour une cellule mémoire comprenant un condensateur à tranchée
Vertikaler Transistor implementiert in einer Speicherzelle mit Grabenkondensator
Transistor avec und canal d'une nanotube de carbone et procédé de fabrication
Transistor mit einem Kanal aus einem Kohlenstoff-Nanoröhrchen und Herstellungsverfahren dafür
Transistor de structure horizontale et son procédé de fabrication
Transistor mit horizontaler Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung
Transistor muni d'une couche en germanium en tension
Transistor, versehen mit einer gedehnten Schicht aus Germanium