On crée ainsi une structure bidirectionnelle double DMOS à zone de migration commune.
Thus a bi-directional double DMOS structure is created having a common drift region.
Le transistor DMOS à tranchée de l'invention a une résistance de fonctionnement nettement diminuée.
A trenched DMOS transistor has significantly reduced on-resistance.
Les DMOS imprimés fournissent toutes les indications de soudage requises, mais c'est au soudeur qu'il revient de régler les bons paramètres et de souder en conséquence.
Printed WPSs give all the necessary guidance for welding, but it's up to the welder to set the right parameters and weld accordingly.
L'écran LED clair et lumineux offre un affichage confortable pour gérer les paramètres de soudage, les canaux mémoire et les DMOS.
The bright and clear LED display provides a crisp view to manage the welding parameters, memory channels and WPSs.
les transistors DMOS ont des résistances de blocage.
the DMOS transistors have different levels of blocking resistance.
Après d'autres essais, les éléments multistatiques du système DMOS seront étendus et réintégrés à l'ensemble d'outils.
After more testing, DMOS will have the multistatic components extended and reintegrated into the suite of tools.
l'invention concerne un procédé de formation d'un transistor DMOS à tranchée à perçage réduit
a method of forming a trench DMOS transistor is provided which reduces punch-through
L'invention vise à améliorer la résistance au claquage de transistors DMOS sur le côté source.
The aim of the invention is to improve the dielectric strength of DMOS transistors on the source end.
un transistor DMOS à tranchées donne des résultats améliorés et un meilleur rendement en matière de production
a trenched DMOS transistor has improved device performance and production yield
On augmente la densité en cellules d'un transistor DMOS en tranchées en résolvant le problème de la diffusion latérale des zones P+ profondes.
The cell density of a trenched DMOS transistor is increased by overcoming the problem of lateral diffusion of deep P+ body regions.
un dispositif transistor DMOS à tranchée comprenant
a trench DMOS transistor device that comprises
un circuit intégré qui comprend au moins un dispositif DMOS de conduction vertical et d'autres dispositifs semi-conducteurs.
an integrated circuit that includes at least one vertical conduction DMOS device and other semiconductor devices.
l'invention concerne une cellule transistorisée DMOS à tranchée qui est formée sur un substrat caractérisé par un premier type de conductivité
a trench DMOS transistor cell is provided, which is formed on a substrate of a first conductivity type
