; wherein those parts form a vertical DMOS structure
a DMOS device is provided which is equipped with a floating gate having a first and second electrode in close proximity thereto
l'invention concerne un dispositif MOS à double diffusion équipé d'une grille flottante possédant une première et une seconde électrode à proximité immédiate de celle-ci
The switch is turned off by setting the gate signals equal to the respective source voltages of the DMOS device pairs.
Le commutateur est coupé en réglant les signaux de grille comme les tensions de source respectives des paires de dispositifs Mos à Double Diffusion.
a gate of a DMOS device is connected to a node between the diode and the resistor
une grille d'un dispositif MOS à double diffusion est connecté à un noeud entre la diode et la résistance
in a lateral DMOS device breakdown voltage is controlled by a voltage divider coupled at opposite ends to the source and drain
dans un dispositif MOS à double diffusion latéral, la tension de claquage est régulée par un diviseur de tension couplée à des extrémités opposées à la source et au drain
a deep diffusion of the back-gate region provided in a self-aligned manner with respect to the gate electrode is necessary in a DMOS transistor for obtaining a sufficiently high punch-through voltage between source and drain
une diffusion profonde de la région de grille arrière élaborée selon un procédé à grille auto-alignée par rapport à l'électrode de commande est nécessaire dans un transistor MOS à double diffusion pour obtenir une tension de pénétration suffisamment élevée entre la source et le drain
The method and circuits involve turning the switch on by applying gate signals to the DMOS device pairs which are generated using at least one source voltage of a DMOS device pair.
Le procédé et les circuits consistent à allumer l'interrupteur par l'application de signaux de grille aux paires de dispositifs MOS à Double Diffusion qui sont générés à l'aide d'au moins une source de tension d'une paire de dispositifs Mos à Double Diffusion.
Thus a bi-directional double DMOS structure is created having a common drift region.
On crée ainsi une structure bidirectionnelle double DMOS à zone de migration commune.
The drain and source of the DMOS are connected between the power lines.
Le drain et la source du résistance sont connectés entre les lignes d'énergie électrique.
A trenched DMOS transistor has significantly reduced on-resistance.
Le transistor DMOS à tranchée de l'invention a une résistance de fonctionnement nettement diminuée.
the DMOS transistors have different levels of blocking resistance.
les transistors DMOS ont des résistances de blocage.
After more testing, DMOS will have the multistatic components extended and reintegrated into the suite of tools.
Après d'autres essais, les éléments multistatiques du système DMOS seront étendus et réintégrés à l'ensemble d'outils.
a method of forming a trench DMOS transistor is provided which reduces punch-through
l'invention concerne un procédé de formation d'un transistor DMOS à tranchée à perçage réduit