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source diffusion
source diffused
La diffusion de source du transistor de sélection est mise à la terre.
La couche de diffusion de source et/ou la couche de diffusion de drain font office de région d'accumulation.
The source diffusion layer and/or the drain diffusion layer functions as the accumulation region.
Le générateur de charge de référence comporte une diffusion de source et une paire de portes dotées chacune de puits de potentiel respectifs électriquement couplés l'un à l'autre.
The reference charge generator includes a source diffusion and a pair of gates each having respective potential wells electrically coupled to one another.
une pellicule d'isolation de gâchette qui est formée sur la surface du substrat semi-conducteur entre la couche de diffusion de source et la couche de diffusion de drain
a gate insulating film which is formed on the surface of the semiconductor substrate between the source diffusion layer and the drain diffusion layer
le transistor à effet de champ comprend également un contact de source métallique adjacent à la région de diffusion de corps et à la région de diffusion de source
the field effect transistor further includes a metal source contact adjacent the body diffusion region and the source diffusion region
on forme un composant à semi-conducteur de sorte que la concentration d'impuretés d'un substrat semi-conducteur sous une couche de diffusion de source soit inférieure à la concentration d'impuretés d'un côté source d'une couche de diffusion d'impuretés de type p
a semiconductor device of the invention is formed so that the impurity concentration of a semiconductor substrate under a source diffusion layer is lower than the impurity concentration on a source side of a p-type impurity diffusion layer
un transistor vertical s'étend vers le bas, au moins au niveau d'une paroi latérale de la tranchée, au-dessus du condensateur de mémoire, et il comprend une diffusion de source s'étendant dans le plan du substrat adjacent à la tranchée profonde
a vertical transistor extends down at least one side wall of the deep trench above the storage capacitor. the transistor has a source diffusion extending in the plane of the substrate adjacent the deep trench
Le transistor de pixel comprend une électrode de grille (131), une couche de diffusion de source (201) et une couche de diffusion de drain (202) qui sont formées sur le substrat semi-conducteur (101).
The pixel transistor includes a gate electrode (131), a source diffusion layer (201), and a drain diffusion layer (202), which are formed on the semiconductor substrate (101).
une couche d'accumulation de charge sur la zone de chaîne de la paroi latérale prise en sandwich par la couche de diffusion de drain et la couche de diffusion de source
a charge accumulation layer formed via a gate insulating film on the channel region of the side wall sandwiched by the drain diffusion layer and the source diffusion layer
En outre, la partie du puits N générée en dessous de la région diffusion de source produit une voie à basse impédance pour la région source, qui limite l'écoulement du courant entre la région drain et la région source.
Furthermore, the portion of the N-well generated beneath the source diffusion region produces a low-impedance path for the source region, which restricts the transistor current flow in between the drain region and the source region.
En outre le caisson N formé sous une zone de diffusion de source constitue une trajectoire à faible impédance pour une zone source, permettant de limiter la circulation du courant du transistor entre la zone drain et la zone source.
Furthermore, the N-well generated beneath a source diffusion region provides a low-impedance path for a source region, which restrict the transistor current flow in between a drain region and a source region.
une région de logement du premier type conductif est formée de façon sélective entre les couches de diffusion de source et les régions de canal de leurs transistors MIS respectifs
a pocket region of the first conductive type is selectively formed between the source diffusion layers and the channel regions of the respective MIS transistors
les couches de diffusion de source et les couches de diffusion de drain des transistors MIS sont disposées dans la même direction
the source diffusion layers and the drain diffusion layers of the MIS transistors are arranged in the same direction
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