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diffusion de source
diffusion source
source diffuse
diffusion côté source
The source diffusion of the select transistor is grounded.
The source diffusion layer and/or the drain diffusion layer functions as the accumulation region.
La couche de diffusion de source et/ou la couche de diffusion de drain font office de région d'accumulation.
Each source diffusion zone has a source contact and each drain diffusion zone has a drain contact.
Chaque zone de diffusion source comprend un contact source et chaque zone de diffusion drain comprend un contact drain.
Current paths have substantially the same series resistance between a source contact and a drain contact associated with a source diffusion zone and a drain diffusion zone which alternate with each other.
Les trajectoires de courant présentent sensiblement la même résistance en série entre un contact source et un contact drain associés à une zone de diffusion source et à une zone de diffusion drain alternées.
In a memory array application, a word line read current applied to the polysilicon gate can be sensed through a bit line connected to the source diffusion, via the channel of the anti-fuse transistor.
Dans une application de réseau de mémoire, un courant de lecture de ligne de mot appliqué à la grille de silicium polycristallin peut être détecté par une ligne de bit connectée à la source diffuse, par l'intermédiaire du canal du transistor anti-fusible.
The anti-fuse transistor can be fabricated with standard CMOS technology, and is configured as a standard transistor element having a source diffusion, gate oxide, polysilicon gate and optional drain diffusion.
Ce transistor anti-fusible peut être fabriqué avec une technologie CMOS standard et est conçu sous forme d'élément de transistor standard comportant une source diffuse, un oxyde de grille, une grille en silicium polycristallin et éventuellement un drain diffus.
The reference charge generator includes a source diffusion and a pair of gates each having respective potential wells electrically coupled to one another.
Le générateur de charge de référence comporte une diffusion de source et une paire de portes dotées chacune de puits de potentiel respectifs électriquement couplés l'un à l'autre.
a gate insulating film which is formed on the surface of the semiconductor substrate between the source diffusion layer and the drain diffusion layer
une pellicule d'isolation de gâchette qui est formée sur la surface du substrat semi-conducteur entre la couche de diffusion de source et la couche de diffusion de drain
the field effect transistor further includes a metal source contact adjacent the body diffusion region and the source diffusion region
le transistor à effet de champ comprend également un contact de source métallique adjacent à la région de diffusion de corps et à la région de diffusion de source
a region wherein a source diffusion section and a body diffusion section are to be formed are divided into rows of regions by trench sections
une région dans laquelle une section de diffusion source et une section de diffusion corps sont formées et divisées en rangées de régions par sections de tranchées
the modulated electric current that flows between the source diffusion region and the drain diffusion region of the field effect type transistor is synchronously detected by a detection circuit with the modulation frequency of the modulation means
le courant électrique modulé qui circule entre la région de diffusion source et la région de diffusion de drain du transistor à effet de champ est détecté de manière synchrone par un circuit de détection avec la fréquence de modulation du moyen de modulation
a semiconductor device of the invention is formed so that the impurity concentration of a semiconductor substrate under a source diffusion layer is lower than the impurity concentration on a source side of a p-type impurity diffusion layer
on forme un composant à semi-conducteur de sorte que la concentration d'impuretés d'un substrat semi-conducteur sous une couche de diffusion de source soit inférieure à la concentration d'impuretés d'un côté source d'une couche de diffusion d'impuretés de type p
a vertical transistor extends down at least one side wall of the deep trench above the storage capacitor. the transistor has a source diffusion extending in the plane of the substrate adjacent the deep trench
un transistor vertical s'étend vers le bas, au moins au niveau d'une paroi latérale de la tranchée, au-dessus du condensateur de mémoire, et il comprend une diffusion de source s'étendant dans le plan du substrat adjacent à la tranchée profonde
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