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multiple quantum
del de nitrure du groupe iii avec couche de métallisation non dopée et multipuits quantique
group iii nitride led with undoped cladding layer and multiple quantum well
Un mode de réalisation de l'invention concerne une méthode informatique de traitement des données de cartographie de luminescence spectrale obtenues à partir d'un substrat, le substrat comportant une pile de couches épitaxiales qui comprend un multipuits quantique.
One embodiment relates to a computer-implemented method of processing spectral luminescence mapping data obtained from a substrate, the substrate having an epitaxial layer stack that includes a multiple quantum well.
sur le super-réseau présentant le même type de conductivité que la première couche de GaN, un multipuits quantique
on the superlattice having the same conductivity type as the first GaN layer, a multiple quantum well
Dans des modes de réalisation préférés, un super-réseau de nitrure du groupe III supporte le multipuits quantique.
In preferred embodiments, a Group III nitride superlattice supports the multiple quantum well.
sur la deuxième couche de GaN, une troisième couche de GaN sur le multipuits quantique, une structure de contact sur la troisième couche de GaN
on the second GaN layer, a third GaN layer on the multiple quantum well, a contact structure on the third GaN layer
la couche active est formée d'une structure multipuits quantique contenant InaGa1-aN (0 <= a <
the active layer is formed of a multiple quantum well structure containing InaGa1-aN (0 <= a <
De manière avantageuse, le laser comprend un multipuits quantique, le réseau étant gravé directement dans les puits quantiques de la zone active.
Beneficially the laser includes a multiple quantum well structure with the grating etched directly through the quantum wells of the active region.
En parallèle, une structure à effet d'électro-absorption utilisant un multipuits quantique sur InP a été conçue et caractérisée par couplage par prisme et a montré des variations d'indice de l'ordre de 2×10-3 à 2,5V.
In addition, an electro-absorption structure using multi-quantum wells on InP substrate shows index variation of the order of 2×10-3 for only 2.5V by the prism-coupling technique.
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