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multiple quantum
multi-quantum
multiple-quantum-well
dispositif photovoltaïque muni d'une partie à puits quantique multiple ingaas/ingap
photovoltaic device having an ingaas/ingap multiple quantum well portion
La présente invention a trait à une cellule solaire à puits quantique multiple améliorée qui peut être réalisée en veillant que la bande interdite de chaque couche mince à puits quantique n'est pas uniforme par rapport à d'autres de ces couches.
An improved multiple quantum well solar cell can be achieved by ensuring the bandgap of each quantum well thin layer is not uniform compared with other such layers.
un modulateur asymétrique de fabry et perot comprend une diode p-i-n à puits quantique multiple (MQN) définie par une surface frontale ayant une réflectivité de 0,3 ainsi que par une surface arrière ayant une réflectivité de 0,95
an asymmetric fabry-perot modulator comprises a multiple quantum well (MQW) p-i-n diode defined by a front surface of reflectivity 0.3 and back surface of reflectivity 0.95
L'invention porte sur une structure de puits quantique multiple (MQW) pour une diode électroluminescente (DEL) et sur un procédé pour fabriquer une structure MQW pour une diode électroluminescente.
A multiple quantum well (MQW) structure for a light emitting diode and a method for fabricating a MQW structure for a light emitting diode are provided.
PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINÉ À UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ULTRAVIOLETTE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
MULTIPLE QUANTUM WELL FOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODE AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR
CARTOGRAPHIE SIMULTANÉE DE PRODUITS CHIMIQUES MULTIPLES COMPRENANT LA SUPPRESSION DE SIGNAUX NON SOUHAITÉS PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UNE COHÉRENCE SPÉCIFIQUE MOLÉCULAIRE (MSC)-SELMQC (COHÉRENCE QUANTIQUE MULTIPLE SÉLECTIVE)
SIMULTANEOUS MAPPING OF MULTIPLE CHEMICALS WITH SUPPRESSION OF UNWANTED SIGNALS VIA MOLECULAR SPECIFIC COHERENCE (MSC)-SELMQC (SELECTIVE MULTIPLE QUANTUM COHERENCE)
Les couches actives comprennent un ou plusieurs ensembles de couches à puits quantique multiple formés adjacents les uns aux autres.
The active layers comprise one or more sets of multiquantum well layers grown adjacent to each other.
Afin d'obtenir le gain hautement sélectif nécessaire pour compenser la perte modale dans la propagation vers l'avant, un nouveau matériel de puits quantique multiple a été mis au point.
In order to provide the highly selective gain needed to compensate the modal loss in the forward propagation direction, a novel multiple-quantum well material was developed.
Le substrat de l'hétérostructure comprend une couche guide à faible structure de bande et des régions actives à puits quantique multiple plus minces situées au-dessus de la couche guide à faible structure de bande.
The heterostructure substrate comprises a low bandgap waveguide layer and thinner multi-quantum well active regions disposed above the low bandgap waveguide layer.
En outre, une seconde région implantée (201b) est créée dans la couche de type p et dans le puits quantique multiple, immédiatement adjacente à la couche de type n gravée.
In addition, a second implanted region (201b) is created in the p-type layer and multi-quantum well immediately adjacent to etched n-type layer.
Ledit dispositif comprend une couche tampon, une couche semi-conductrice de type n, une couche active de structure de puits quantique multiple (4) et une couche semi-conductrice de type p, toutes les couches étant formées sur un substrat en silicium à basse résistance.
A semiconductor light-emitting device with improved emission characteristics comprises a buffer layer, an n-type semiconductor layer, a multi-quantum well structure active layer (4) and a p-type semiconductor layer, all the layers being formed on a low-resistance silicon substrate.
Une couche de type p (105), un puits quantique multiple(104) et une couche de type n (103) sont disposés sur un substrat (101).
A p-type layer (105), multi-quantum well (104) and n-type (103) layer are disposed on a substrate (101).
Le dispositif comprend un substrat, une première couche semi-conductrice dopée située au-dessus du substrat, une seconde couche semi-conductrice dopée située au-dessus de la première couche semi-conductrice dopée, et un puits quantique multiple (MQW) situé entre les première et seconde couches semi-conductrices dopées.
The device includes a substrate, a first doped semiconductor layer situated above the substrate, a second doped semiconductor layer situated above the first doped semiconductor layer, and a multi-quantum-well (MQW) situated between the first and the second doped semiconductor layers.
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