Examples with "structure triode" and their translation in Engels
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écran à émission de champ comprenant une structure triode intégrée et procédé permettant de produire cet écran
field emission display with integrated triode structure and method for manufacturing the same
l'invention concerne un écran à émission de champ (FED) comprenant une structure triode intégrée
a field emission display (FED) with an integrated triode structure is provided
Andere resultaten
AFFICHAGE A ECRAN PLAT A STRUCTURES TRIODE UTILISANT DES CATHODES PLATES A EMISSION DE CHAMP
TRIODE STRUCTURE FLAT PANEL DISPLAY EMPLOYING FLAT FIELD EMISSION CATHODES
semi-conducteur à émission de champ à structure de triode obtenu par oxydation anodique et procédé de fabrication
electric field emission device having a triode structure fabricated by using an anodic oxidation process and method for fabricating same
un ensemble de cathode froide à structure de triode est produit par formation d'un dépôt d'une matière émettrice de carbone sur un substrat pour former une structure de cathode
a triode structure cold cathode assembly is produced by depositing a carbon emitter material onto a substrate to form a cathode structure
en premier, il permet d'éviter un courant de fuite entre des électrodes, même si un espace entre celles-ci est inférieur à celui d'une structure de triode d'émetteur double classique et d'un procédé de grille latérale
at first, it can prevent a leakage current between electrodes, even if a gap between the electrodes is smaller than that of the conventional dual emitter triode structure and a lateral gate method
Une autre couche d'oxyde (17) et une autre couche métallique d'anode (18) peuvent également être formées sur la couche métallique d'anode (14) pour former une structure de triode à auto-alignement.
Another oxide layer (17) and an anode metal layer (18) also may be formed over the gate metal layer (14) to produce a self-aligned triode structure.
Ce type de structure permet d'élaborer des triodes et des diodes émissives planes, autrement dit des composants actifs, dont les émetteurs et les anodes sont disposés dans le même plan.
The inventive structural design makes it possible to develop planar emissive triodes and diodes, i.e. the active components, whose emitters and anodes are arranged on the same plane.
L'invention concerne également une nouvelle structure et un procédé pour former des diodes, des triodes, des tétrodes, des pentodes et d'autres structures similaires.
Also disclosed is a new structure and a process for forming diodes, triodes, tetrodes, pentodes and other similar structures.
Enfin, les propriétés émissives des diverses couches carbonées élaborées ont été mesurées, en mode diode pour les couches synthétisées sur échantillon plan et en mode triode pour les couches intégrées sur structure cathodique d'écran.
Finally, the emissive properties of the elaborated carbonaceous films were measured, in diode mode for the full sheet type samples and in triode mode for the films integrated into display cathodic structures.
cette invention concerne une structure de cathode de type triode pour un écran à émission d champ (FED) agencée en rangées et en colonnes
this invention relates to a triode type cathode structure of an FED screen arranged in rows and columns
l'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure de cathode de type triode comprenant des étapes de dépôt et des étapes de gravure d'une couche de cathode pour la structurer en conducteurs de cathode
the invention concerns a method for producing a triode-type cathode structure including steps for depositing and steps for etching a cathode layer to transform it to cathode conductors
La structure de l'émetteur de cette invention permet de créer des circuits intégrés nanoélectroniques présentant une densité d'implantation de triodes et de diodes comprise entre 109 et 1013 cm-2, ce qui est supérieur de plusieurs ordres de grandeur aux composants microélectroniques actuels.
Said structural design of the emitter makes it possible to create nanoelectronic integrated circuits wherein the triode and diode spacing density ranges from 109 to 1013 cm 2, that is several orders higher than the performance capabilities of modern microelectronics
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