Dynamic random access memory array as set forth in claims 1 or 2 wherein said conductive plate is made of doped polysilicon and said word lines are made of a silicide.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Ansprüchen 1 oder 2, bei der die leitende Platte aus dotiertem Polysilicium und die Wortleitungen aus einem Silicid bestehen.
Dynamic random access memory array as set forth in claim 1, characterized by an insulation layer disposed on said conductive plate between said word lines and said conductive plate.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolationsschicht auf der leitenden Platte zwischen den Wortleitungen und der leitenden Platte angebracht ist.
Dynamic random access memory array as set forth in claim 1, characterized by a thick layer of insulation disposed on said first sidewall between said first and second storage capacitors and between said first and second bit/sense diffusion regions.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine dicke Isolationsschicht auf der ersten Seitenwand zwischen den ersten und zweiten Speicherkondensatoren und zwischen den ersten und zweiten Bit/Lesediffusionsbereichen angebracht ist.
Autres résultats
Dynamic random access memory device having rampart structure outside memory cell array.
An oscillator as recited in one of the preceding claims used in an array of dynamic random access memory cells for storing data; wherein said oscillator produces a refresh clock having a substantially constant frequency despite temperature variations using first and second temperature dependent currents.
Oszillator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der in einem Array aus dynamischen Direktzugriffsspeicherzellen zum Speichern von Daten verwendet wird, wobei der Oszillator einen Auffrischtakt mit einer trotz Temperaturschwankungen im wesentlichen konstanten Frequenz aufweist, wobei ein erster und zweiter temperaturabhängiger Strom verwendet wird.
A dynamic random access memory device according to claim 4, characterized by further comprising a potential-boosting capacitor provided adjacent to said array of row decoders.
The semiconductor memory device as set forth in claim 1, in which said memory cell array (31) is formed by a plurality of dynamic random access memory cells.
The device claimed in any preceding Claim in which the two-dimensional array comprises an array of 256 x 256 pixels, formed on the dynamic random access memory chip.
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