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first buffer layer
Traduction de "first buffer layer" en allemand
erste Pufferschicht
ersten Pufferschicht
According to at least one embodiment, directly on the growth substrate a first buffer layer, in particular an oxide or nitride of a transition metal or a rare earth metal applied.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird unmittelbar auf das Aufwachssubstrat eine erste Pufferschicht, insbesondere aus einem Oxid oder Nitrid eines Übergangsmetalls oder eines Seltenerdenmetalls, aufgebracht.
The method of any foregoing claim wherein said first buffer layer has a first phosphorous doping level and said second buffer layer has a second phosphorous doping level higher than the first phosphorous doping level.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Pufferschicht einen ersten Phosphor-Dotierungspegel aufweist und die zweite Pufferschicht einen zweiten Phosphor-Dotierungspegel aufweist, der höher als der erste Phosphor-Dotierungspegel ist.
A method according to claim 1 wherein a first buffer layer (12) is formed on the upper surface of the semiconductor substrate below the masking layer.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine erste Pufferschicht (12) auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats unterhalb der Maskierschicht gebildet ist.
A method according to claim 3 wherein the first buffer layer (12) is composed of silicon dioxide and the further buffer layer (14) is composed of polycrystalline silicon.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei die erste Pufferschicht (12) aus Siliziumdioxid und die weitere Pufferschicht (14) aus polykristallinem Silizium besteht.
A method as claimed in claim 1 wherein as protection (4) for the first buffer layer (3), the surface of the latter is changed by chemical treatment.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei als Schutz (4) für die erste Pufferschicht (3) deren Oberfläche durch chemische Behandlung verändert wird.
An optical control device as claimed in claim 1, wherein said first buffer layer section has opposite extensions extending onto said parallel portions of said waveguides.
Optische Steuervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste Pufferschichtabschnitt entgegengesetzte Verlängerungen hat, die sich auf die Parallelabschnitte der Wellenleiter erstrecken.
The method of any foregoing claim, wherein said step of forming the first buffer layer (20) comprises depositing a layer of phospho-silicate glass.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens der ersten Pufferschicht (20) den Schritt umfaßt, eine Schicht aus Phosphor-Silikat-Glas abzulagern.
A semiconductor integrated circuit as claimed in claim 5 characterized in that said unconductive region (52) comprises the same compound semiconductor material as forms said first buffer layer and incorporates defects therein with a concentration level such that the unconductive region behaves substantially as an insulating region.
Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß der nichtleitende Bereich (52) dasselbe Verbundhalbleitermaterial wie die erste Pufferschicht umfaßt und Störstellen mit einem derartigen Konzentrationsgrad aufweist, daß sich der nichtleitende Bereich im wesentlichen wie ein Isolierbereich verhält.
A method according to claim 2 wherein a further buffer layer (14) is formed over the semiconductor substrate (10) and the first buffer layer (12).
Verfahren nach Anspruch 2, wobei eine weitere Pufferschicht (14) über dem Halbleitersubstrat (10) und der ersten Pufferschicht (12) gebildet ist.
A method as claimed in claim 14 characterized in that said first temperature employed for growing the first buffer layer (24) and said third temperature employed for growing the device layer (36) are set to a same temperature.
Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß die zum Aufwachsen der ersten Pufferschicht (24) verwendete erste Temperatur und die zum Aufwachsen der Bauelementenschicht (36) verwendete dritte Temperatur auf ein und dieselbe Temperatur eingestellt sind.
The process set forth in claim 5, wherein said first buffer layer portions (31, 32) are made of LaAlO 3 or PrGaO 3 and said second buffer layer portions (4) are made of Al 2 O 3 or MgO.
Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die ersten Pufferschicht-Abschnitte (31, 32) aus LaAlO 3 oder PrGaO 3 hergestellt werden und die zweiten Pufferschicht-Abschnitte (4) aus Al 2 O 3 oder MgO hergestellt werden.
Synonymes et analogies de "first buffer layer" en anglais
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