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in the memory cell array
Traduction de "in the memory cell array" en allemand
in dem Speicherzellenfeld
A semiconductor storage device according to claim 1, wherein the certain potential corresponding to the position of the selected word line in the memory cell array is applied to each of the bank selection lines as the ON potential for the associated bank selection transistors.
Halbleiterspeicherungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein bestimmtes Potential, das der Position der gewählten Wortleitung in dem Speicherzellenfeld entspricht, an jede der Bankauswahlleitungen als das EIN-Potential für die zugeordneten Bankauswahltransistoren angelegt ist.
An integrated circuit memory device as recited in Claim 13, further comprising: an output buffer that generates output data in response to the data stored in the memory cell array and the output signal.
Speichereinrichtung in Form einer integrierten Schaltung nach Anspruch 13, ferner umfassend: einen Ausgangspuffer, der Ausgangsdaten im Ansprechen auf die Daten, die in dem Speicherzellenfeld gespeichert sind, und das Ausgangssignal erzeugt.
A method as recited in Claim 21, further comprising: generating output data in response to the data stored in the memory cell array and the output signal.
Verfahren nach Anspruch 21, ferner umfassend: Erzeugen von Ausgangsdaten im Ansprechen auf die Daten, die in dem Speicherzellenfeld gespeichert sind, und das Ausgangssignal.
In such an EEPROM, defective cells may exist in the memory cell array due to problems (dust or the like) in manufacturing.
In so einem EEPROM können - bedingt durch Herstellungsprobleme (Staub oder Ähnliches) - defekte Zellen in dem Speicherzellenfeld existieren.
In the memory cell array, one of the memory cells MC is selected by a plurality of row lines (word lines) WL and a plurality of column lines (bit lines) BL.
In dem Speicherzellenfeld wird eine der Speicherzellen durch eine Mehrzahl von Zeilenleitungen (Wort-Leitungen) WL und einer Vielzahl von Spaltenleitungen (Bit-Leitungen) BL ausgewählt.
A non-volatile semiconductor memory device according to claim 7, wherein no element isolation region to isolate the memory cells (1,2,3) is provided in the memory cell array region.
Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement nach Anspruch 7, wobei kein Element-Trennbereich, um die Speicherzellen (1, 2, 3) zu trennen in dem Speicherzellenanordnungsbereich vorgesehen ist.
The active material of the solid electrolyte memory cell can include silver-containing material having a high SiO 2 in mobility, so it can diffuse out of the area with the active material R and can spread uncontrollably in the memory cell array.
Das aktive Material der Festkörperelektrolyt-Speicherzelle kann silberhaltiges Material beinhalten, das in SiO 2 eine hohe Mobilität aufweist, so dass es aus dem Bereich mit dem aktive Material R ausdiffundieren und sich unkontrolliert im Speicherzellen-Feld ausbreiten kann.
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