Method and apparatus for testing operation of a memory device.
A memory device according to any one of the preceding claims, comprising a semiconductor disk.
Speichervorrichtung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, aufweisend eine Halbleiter-Platte.
Nonvolatile memory device with a high number of cycle programming endurance.
The memory device of any preceding claim used in a computer system.
Die Speichereinrichtung nach einem beliebigen der vorgenannten Ansprüche, verwendet in einem Computersystem.
Nonvolatile memory device capable of outputting correct read data at proper time.
Nichtflüchtige Speicheranordnung, fähig zum Liefern richtiger Lesedaten zu einem bestimmten Zeitpunkt.
Non-volatile trench memory device and self-aligned method for making such a device.
Nichtflüchtige grabenförmige Speicheranordnung und selbstjustierendes Verfahren zur Herstellung.
The memory device is a synchronized dynamic random access memory.
Die Speichereinrichtung ist ein synchronisierter dynamischer Direktzugriffsspeicher.
Random access memory device and process of fabrication thereof.
Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff und Herstellungsverfahren dafür.
Logic device and memory device using ceramic superconducting element.
Logische Vorrichtung und Speichereinrichtung mit einem keramischen supraleitenden Element.
Redundancy scheme for eliminating defects in a memory device.
Redundanz-Aufstellung zur Beseitigung von Defekten in einer Speicheranordnung.
Memory cell and multidimensional memory device constituted by arranging the memory cells.
Speicherzelle und multidimensionale Speichereinrichtung, die durch die Anordnung der Speicherzellen konstituiert ist.
Testing circuit for random access memory device.
Prüfschaltung für eine Speichereinrichtung mit willkürlichem Zugriff.
Metal insulator semiconductor type dynamic random access memory device.
Dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff vom Metall-Isolator-Halbleiter-Typ.