Furthermore, you always need spare blocks in a NAND flash memory, since defects may occur when programming or erasing and this block then must not be programmed or erased.
Ferner braucht man bei einem NAND-Flash-Speicher immer Ersatzblöcke, da beim Programmieren oder Löschen Defekte auftreten können und dieser Block dann nicht mehr programmiert oder gelöscht werden darf.
Method according to Claim 1, characterized in that the memory is erased or programmed with a maximum high voltage before every instance of programming or erasing the memory cells with a set high voltage.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß vor jedem Programmieren oder Löschen der Speicherzellen mit einer eingestellten Hochspannung der Speicher mit einer maximalen Hochspannung gelöscht bzw. programmiert wird.
Voltage generating circuit for programming or erasing a floating gate memory
The inventive simultaneous use of a po sitiven and a negative voltage for programming or erasing a memory cell of the invention, it is possible to dispense with an additional, a lot of space requiring selection transistor and still be able to address each memory cell individually.
Durch die erfindungsgemäße gleichzeitige Verwendung einer po sitiven und einer negativen Spannung zum Programmieren bzw. Löschen einer erfindungsgemäßen Speicherzelle ist es möglich, auf einen zusätzlichen, einen hohen Platzbedarf erfordernden Auswahltransistor zu verzichten und trotzdem jede Speicher zelle einzeln adressieren zu können.
A device according to Claim 1, characterised in that the means for scrambling the current consumption due to the operations performed by the microprocessor consist of the simultaneous execution of an operation of programming or erasing the memory (14).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Mittel zum Verwirren des Stromverbrauchs aufgrund der durch den Mikroprozessor durchgeführten Operationen in der gleichzeitigen Ausführung einer Programmier- oder Löschoperation des Speichers (14) bestehen.
It is operated with a single 2.5 V supply from the embedded voltage regulator (EVR) and does not require additional programming or erasing voltage.
Dieser wird mit einem integrierten 2,5 V-Spannungsregler (LDO) betrieben und benötigt daher keine zusätzliche Programmier- oder Löschspannung.
From a first value of the high voltage for programming or erasing the memory and a first value of a reading voltage for checking of programming or erasing, the most advantageous high voltage is determined by successively modifying either the high voltage or the reading voltage.
Ausgehend von einem ersten Wert der Hochspannung zum Programmieren oder Löschen des Speichers und einem ersten Wert einer Lesespannung zum Überprüfen des Programmier- oder Löschvorgangs wird die günstigste Hochspannung durch sukzessive Veränderung entweder der Hochspannung oder der Lesespannung ermittelt.
The method uses a programming or erasing voltage corresponding to a reading voltage of the EPROM (10). To differentiate the programming or erasing voltage from the reading voltage, programming or erasing algorithms with defined addresses and information are executed in a defined sequence.
Les exemples vous aident à traduire le mot ou l’expression cherchés dans des contextes variés. Ils ne sont ni sélectionnés ni validés par nous et peuvent contenir des mots ou des idées inappropriés. Signalez des exemples à modifier ou à retirer. Les traductions potentiellement sensibles, inappropriées ou familières sont généralement marquées de rouge ou d’orange.