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Basiszone
base zone
base region
base regions
Erfindungsgemäß wird eine niedrig dotierte p-leitende Zone vorgesehen, die den Basis-Bereich eines npn-Transistors ringförmig umschließt und von der Oberfläche aus tiefer reicht als die Basiszone.
According to the invention, a lightly doped p-type zone is provided which encloses the base zone of an n-p-n transistor in ring form and extends from the surface to a greater depth than the base zone.
Die genannte Zone ist über eine Oberflächenschicht (3) mit der Basiszone verbunden.
Said zone is connected to the base zone via a surface layer (3).
Bipolarer Transistor mit einer verbesserten epitaktischen Basiszone und dessen Herstellungsverfahren
Bipolar transistor having an improved epitaxial base region and method of fabricating the same
Lateraler Transistor mit gradierter Basiszone, integrierter Halbleiterschaltkreis und diesbezügliches Herstellungsverfahren
Lateral transistor having graded base region, semiconductor intergrated circuit and fabrication method thereof
Bipolarer Heteroübergangstransistor mit einer Emitterzone deren Bandabstand grösser ist als der einer Basiszone.
Heterojunction bipolar transistor having an emitter region with a band gap greater than that of a base region.
Gate-Anordnung für einen Transistor mit gemeinsamer Basiszone
Gate layout of a transistor with common base region
Verfahren zur Bildung eines bipolaren Transistors, der eine Basiszone aufweist, die nach Anspruch 1 hergestellt wurde.
A method for forming a bipolar transistor comprising a base region, manufactured according to claim 1.
Transistorstruktur nach Anspruch 3, bei der die genannte Basiszone eine Tiefe von wenigstens fünf Mikron hat.
The transistor structure of claim 3 wherein said base region has a depth of at least five microns.
Die zweite Basiszone kann eine Teilzone (3) aufweisen, die zur Aufnahme der Spannung dient.
The second base region can include a voltage pick-up zone (3).
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das zusätzliche Bauelement ein Bipolartransistor mit einer p-dotierten Basiszone ist.
Process of claim 10 in which the additional device is a bipolar transistor having a p-type doped base region.
Der Förderer liegt deshalb irgendwo innerhalb der Basiszone -10 bis -35.
The promoter therefore lies somewhere within the -10 to -35 base region.
Leistungshalbleiter bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem dadurch gekennzeichnet, daß dieser eine niedrig p-dotierte Basiszone (4) aufweist.
Power semiconductor according to one of the preceding claims, in which it has a lightly p-doped base zone (4).
Umwandler nach Anspruch 3, dessen Basiszone (3) aus einem eigenleitendem Halbleiter besteht.
A device as claimed in claim 3 wherein said base region (3) is of intrinsic semiconductor material.
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Synoniemen voor Basiszone in het Duits

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